[实用新型]高压深刻蚀石英盖板有效
| 申请号： | 202021712326.4 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN212648201U | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 兰锋 | 申请（专利权）人： | 浙江泓芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 324000 浙江省衢州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 深刻 石英 盖板 | ||
1.高压深刻蚀石英盖板，包括石英盖板本体(1)、散热片(2)、第一支撑板(3)、第二支撑板(4)、盖板合页(5)以及加固槽(6)，其特征在于：所述石英盖板本体(1)的表面设置有散热片(2)，所述第一支撑板(3)设置于石英盖板本体(1)的左侧，所述第二支撑板(4)设置于石英盖板本体(1)的右侧，所述盖板合页(5)设置于石英盖板本体(1)的下侧，所述加固槽(6)活动安装于石英盖板本体(1)的后部。
2.根据权利要求1所述的高压深刻蚀石英盖板，其特征在于：所述石英盖板本体(1)的两侧均设置有边板(12)、限位块(13)，所述边板(12)分别设置于石英盖板本体(1)的两侧，所述限位块(13)分别设置于石英盖板本体(1)下侧的两端。
3.根据权利要求1所述的高压深刻蚀石英盖板，其特征在于：所述散热片(2)的长度小于石英盖板本体(1)的长度，所述散热片(2)下表面固定有绝缘塑料。
4.根据权利要求1所述的高压深刻蚀石英盖板，其特征在于：所述第一支撑板(3)、第二支撑板(4)均设置有通孔，所述通孔均贯穿第一支撑板(3)、第二支撑板(4)。
5.根据权利要求1所述的高压深刻蚀石英盖板，其特征在于：所述盖板合页(5)设置的数量为二个。
6.根据权利要求1所述的高压深刻蚀石英盖板，其特征在于：所述加固槽(6)设置为长方体结构，且所述加固槽(6)的左右两侧均设置有衔接滑槽(61)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
