[实用新型]高压深刻蚀石英盖板有效
申请号: | 202021712326.4 | 申请日: | 2020-08-17 |
公开(公告)号: | CN212648201U | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 兰锋 | 申请(专利权)人: | 浙江泓芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/67 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 陆永强 |
地址: | 324000 浙江省衢州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 深刻 石英 盖板 | ||
本实用新型公开了一种高压深刻蚀石英盖板,包括石英盖板本体、散热片、第一支撑板、第二支撑板、盖板合页以及加固槽,所述石英盖板本体的表面设置有散热片,所述第一支撑板设置于石英盖板本体的左侧,所述第二支撑板设置于石英盖板本体的右侧,所述盖板合页设置于石英盖板本体的下侧,所述加固槽活动安装于石英盖板本体的后部,辅助使用承载装置进行多枚硅片的盛放,需要通过盖板辅助承载装置进行硅片的保存,可用于保温筒使用,从而保存硅片。本实用新型适用于高压深刻蚀作用,其表面刻蚀液不易被自然风干燥及与硅片接触造成磨损碰撞,有助于提高散热效率,延长硅片的保存时长。
技术领域
本实用新型涉及石英盖板技术领域,具体的说是一种高压深刻蚀石英盖板。
背景技术
在石英半导体装置的制造过程中,为了对被处理的硅片进行氧化、扩散及退火等处理,需使用各种热处理装置。其中对多枚硅片能同时作批处理的热处理装置,在热处理的过程中,使用承载装置进行多枚硅片的盛放,需要通过盖板辅助承载装置进行硅片的保存。其中现有的石英盖板在加工过程中通常通过各种刻蚀设备进行刻蚀加工,有助于提高散热效率,延长硅片的保存时长,为此,提供一种高压深刻蚀石英盖板显得十分必要。
实用新型内容
针对现有技术中存在的上述不足之处,本实用新型目的是提供一种高压深刻蚀石英盖板。
本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案是:高压深刻蚀石英盖板,包括石英盖板本体、散热片、第一支撑板、第二支撑板、盖板合页以及加固槽,所述石英盖板本体的表面设置有散热片,所述第一支撑板设置于石英盖板本体的左侧,所述第二支撑板设置于石英盖板本体的右侧,所述盖板合页设置于石英盖板本体的下侧,所述加固槽活动安装于石英盖板本体的后部。
作为上述技术方案的进一步描述:所述石英盖板本体的两侧均设置有边板、限位块,所述边板分别设置于石英盖板本体的两侧,所述限位块分别设置于石英盖板本体下侧的两端。
作为上述技术方案的进一步描述:所述散热片的长度小于石英盖板本体的长度,所述散热片下表面固定有绝缘塑料。
作为上述技术方案的进一步描述:所述第一支撑板、第二支撑板均设置有通孔,所述通孔均贯穿第一支撑板、第二支撑板。
作为上述技术方案的进一步描述:所述盖板合页设置的数量为二个。
作为上述技术方案的进一步描述:所述加固槽设置为长方体结构,且所述加固槽的左右两侧均设置有衔接滑槽。
本实用新型的有益效果:该种高压深刻蚀石英盖板适用于高压深刻蚀作用,其表面刻蚀液不易被自然风干燥及与硅片接触造成磨损碰撞,有助于提高散热效率,延长硅片的保存时长。
附图说明
图1为本实用新型整体的结构示意图;
图2为本实用新型石英盖板本体的左视图;
图3为本实用新型加固槽的结构示意图。
图中:1石英盖板本体、12边板、13限位块、2散热片、3第一支撑板、4第二支撑板、5盖板合页、6加固槽、61衔接滑槽。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造