[实用新型]扩散工艺用石英源瓶有效
| 申请号： | 202021720148.X | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN213816065U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 兰锋 | 申请（专利权）人： | 浙江泓芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 324000 浙江省衢州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩散 工艺 石英 | ||
1.扩散工艺用石英源瓶，包括石英源瓶(1)、进气管(2)、第一阀门(3)、出气管(4)、第二阀门(5)、半透膜框(6)、第一导气管(7)、补气罐(8)、补气管(9)、支撑底座(10)以及第二导气管(11)，其特征在于：所述进气管(2)的一端位于所述石英源瓶(1)的上部，所述进气管(2)的另一端位于所述石英源瓶(1)的内部且靠近所述石英源瓶(1)的底部，所述第一阀门(3)设置于进气管(2)的顶端，所述出气管(4)的一端位于所述石英源瓶(1)的上部，所述出气管(4)的另一端位于所述石英源瓶(1)的内部且靠近所述石英源瓶(1)的底部，所述第二阀门(5)设置于出气管(4)的顶端，所述半透膜框(6)设置于石英源瓶(1)的内部，且所述半透膜框(6)位于进气管(2)、出气管(4)之间，所述补气罐(8)通过第一导气管(7)、第二导气管(11)与石英源瓶(1)连接，所述补气管(9)设置于补气罐(8)的顶部，所述支撑底座(10)设置于补气罐(8)的底部。
2.根据权利要求1所述的扩散工艺用石英源瓶，其特征在于：所述第一阀门(3)设置为进气控制阀。
3.根据权利要求1所述的扩散工艺用石英源瓶，其特征在于：所述第二阀门(5)设置为出气控制阀。
4.根据权利要求1所述的扩散工艺用石英源瓶，其特征在于：所述半透膜框(6)包括固定框架(61)、连接板(62)，所述固定框架(61)设置于半透膜框(6)的四边的外侧，所述连接板(62)设置的数量为二个，且所述连接板(62)分别设置于半透膜框(6)两侧的下部。
5.根据权利要求1所述的扩散工艺用石英源瓶，其特征在于：所述第一导气管(7)、第二导气管(11)均设置有导气泵。
6.根据权利要求1所述的扩散工艺用石英源瓶，其特征在于：所述支撑底座(10)的底面拐角处均设置有橡胶垫。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
