[实用新型]扩散工艺用石英源瓶有效
申请号: | 202021720148.X | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN213816065U | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 兰锋 | 申请(专利权)人: | 浙江泓芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/228 | 分类号: | H01L21/228;H01L31/18 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 陆永强 |
地址: | 324000 浙江省衢州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扩散 工艺 石英 | ||
本实用新型公开了一种扩散工艺用石英源瓶,包括石英源瓶、进气管、第一阀门、出气管、第二阀门、半透膜框、第一导气管、补气罐、补气管、支撑底座与第二导气管,进气管的一端位于石英源瓶的上部,进气管的另一端位于石英源瓶的内部且靠近石英源瓶的底部,第一阀门设置于进气管的顶端,出气管的一端位于石英源瓶的上部,出气管的另一端位于石英源瓶的内部且靠近石英源瓶的底部,第二阀门设置于出气管的顶端,半透膜框设置于石英源瓶的内部,补气罐通过第一导气管、第二导气管与石英源瓶连接,补气管设置于补气罐的顶部,支撑底座设置于补气罐的底部。本实用新型有效增强氮气的气态扩散源的均匀程度,提高扩散工序的工作效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体说的是一种扩散工艺用石英源瓶。
背景技术
近几年,晶体硅电池技术已成功应用与商业化生产,极大推动了人类享受清洁能源的进程。晶体硅电池的PN结为其工作的核心,当光照射在该PN结上时,会发生所谓光生伏打效应,产生光生电动势及光生电流供给与负载。发射电极的设计对于提高晶体硅电池的效率具有重要意义,太阳能电池的制备过程中,硅片需要依次经过制绒、扩散、刻蚀、镀膜以及印刷等工序。扩散工艺是太阳能电池制备过程中的一个核心工序,即硅片以石英舟为载体放入扩散炉中,在一定温度下,向扩散炉内通入氮气和扩散源,以使硅片的表面扩散沉积PN结。目前行业内普遍采用的是气体携带液态磷源扩散的方法。即将气体通入装有液体的石英源瓶,湿润后携带磷源蒸气通入扩散炉中。
由于现有的石英源瓶内部的氮气源利用率较低,且氮气的气态扩散源的均匀程度也较差,影响扩散工序的工作效率,为此,我们提出一种散工艺用石英源瓶,显得尤为重要。
实用新型内容
针对现有技术中存在的上述不足之处,本实用新型目的是提供一种扩散工艺用石英源瓶。
本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案是:扩散工艺用石英源瓶,包括石英源瓶、进气管、第一阀门、出气管、第二阀门、半透膜框、第一导气管、补气罐、补气管、支撑底座以及第二导气管,所述进气管的一端位于所述石英源瓶的上部,所述进气管的另一端位于所述石英源瓶的内部且靠近所述石英源瓶的底部,所述第一阀门设置于进气管的顶端,所述出气管的一端位于所述石英源瓶的上部,所述出气管的另一端位于所述石英源瓶的内部且靠近所述石英源瓶的底部,所述第二阀门设置于出气管的顶端,所述半透膜框设置于石英源瓶的内部,且所述半透膜框位于进气管、出气管之间,所述补气罐通过第一导气管、第二导气管与石英源瓶连接,所述补气管设置于补气罐的顶部,所述支撑底座设置于补气罐的底部。
作为本实用新型再进一步的方案:所述第一阀门设置为进气控制阀。
作为本实用新型再进一步的方案:所述第二阀门设置为出气控制阀。
作为本实用新型再进一步的方案:所述半透膜框包括固定框架、连接板,所述固定框架设置于半透膜框的四边的外侧,所述连接板设置的数量为二个,且所述连接板分别设置于半透膜框两侧的下部。
作为本实用新型再进一步的方案:所述第一导气管、第二导气管均设置有导气泵。
作为本实用新型再进一步的方案:所述支撑底座的底面拐角处均设置有橡胶垫。
本实用新型的有益效果:
一、该种扩散工艺用石英源瓶设置有内部氮气源补气,不仅能够保证石英源瓶的正常运作,而且有效增强氮气的气态扩散源的均匀程度,提高扩散工序的工作效率。
二、该种扩散工艺用石英源瓶的内部设置有半透膜框结构,有利于透过氮气连接或直接通过管道连接到扩散源使用场所,有效提高石英源瓶内部的氮气源利用率。
附图说明
图1为本实用新型整体的结构示意图;
图2为本实用新型工作状态下的结构示意图;
图3为本实用新型半透膜框的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造