[实用新型]大功率快速散热型MOS器件

权利要求书

1.一种大功率快速散热型MOS器件，其特征在于：包括：位于环氧封装体（1）中的MOSFET芯片（2）、快恢复二极管（9）、陶瓷导热本体（3）、源极管脚（4）、漏极管脚（5）和栅极管脚（6），此源极管脚（4）、漏极管脚（5）和栅极管脚（6）从环氧封装体（1）内向外延伸出；

所述陶瓷导热本体（3）一表面开有第一条形凹槽（31）、第二条形凹槽（32）和第三凹槽（33），此第一条形凹槽（31）、第二条形凹槽（32）和第三凹槽（33）内分别填充有第一导电条（71）、第二导电条（72）和导电块（73）；

所述MOSFET芯片（2）上具有源极区（21）、漏极区（22）和栅极区（23），所述MOSFET芯片（2）安装于陶瓷导热本体上，此源极区（21）、漏极区（22）和栅极区（23）分别与第一导电条（71）、导电块（73）一端和第二导电条（72）电连接；

所述源极管脚（4）与第一导电条（71）电连接，所述漏极管脚（5）与导电块（73）另一端电连接，所述栅极管脚（6）与第二导电条（72）电连接；所述快恢复二极管（9）的正极和负极均通过导电金线（10）连接到第一导电条（71）、导电块（73）。

2.根据权利要求1所述的大功率快速散热型MOS器件，其特征在于：所述漏极管脚（5）位于源极管脚（4）和栅极管脚（6）之间。

3.根据权利要求1所述的大功率快速散热型MOS器件，其特征在于：位于所述MOSFET芯片（2）背面的漏极区（22）与导电块（73）一端电连接。

4.根据权利要求1所述的大功率快速散热型MOS器件，其特征在于：所述MOSFET芯片（2）位于第一导电条（71）、第二导电条（72）之间。