[实用新型]大功率快速散热型MOS器件

说明书

本实用新型公开一种大功率快速散热型MOS器件，包括：MOSFET芯片、快恢复二极管、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚；陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块；所述源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块。本实用新型大功率快速散热型MOS器件降低了功率MOS的热阻，从而有利于进一步提高器件的功率，也提高了器件的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种大功率快速散热型MOS器件。

背景技术

现有技术中很多涉及场效应管的封装结构，一般大电流的封装结构是将场效应管的直接焊接在电路板上，然后再将电路板固定在相应的导电基座上，最后进行相应的封装。采用上述结构的场效应管封装结构，由于场效应管工作温度较高，且散热效果不好，容易导致焊点由于高温作用下而软化，致使场效应管与电路板接触不良而影响工作。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种大功率快速散热型MOS器件，该大功率快速散热型MOS器件降低了功率MOS的热阻，从而有利于进一步提高器件的功率，也提高了器件的可靠性。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种大功率快速散热型MOS器件，包括：位于环氧封装体中的MOSFET芯片、快恢复二极管、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚，此源极管脚、漏极管脚和栅极管脚从环氧封装体内向外延伸出；

所述陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块；

所述MOSFET芯片上具有源极区、漏极区和栅极区，所述MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接；

所述源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述漏极管脚位于源极管脚和栅极管脚之间。

2. 上述方案中，位于MOSFET芯片背面的漏极区与导电块一端电连接。

3. 上述方案中，所述MOSFET芯片位于第一导电条、第二导电条之间。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1. 本实用新型大功率快速散热型MOS器件，其MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接，快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块，有效防止了截止瞬间产生的感应电压击穿MOSFET芯片，从而提高了器件的可靠性；还有，其MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接，降低了功率MOS的热阻，从而有利于进一步提高器件的功率，充分发挥了功率MOS大功率，低功耗的优势。

2. 本实用新型大功率快速散热型MOS器件，其陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块，源极管脚与第一导电条电连接，漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接，既有利于进一步缩小器件的体积，也减少器件中部件的数目，同时由于散热区和本体为一个整体，提高了器件整体结构稳定性。

附图说明