[实用新型]一种具有UV可剥离胶膜的基板中间体组件

说明书

本实用新型公开了一种具有UV可剥离胶膜的基板中间体组件，其包括已进行加工工艺处理的基板、UV可剥离胶膜，该已进行加工工艺处理的基板包括上表面和侧面，上表面包括第一界面、第二界面，UV可剥离胶膜覆设在第一界面上且密封该第一界面，第二界面为已进行加工工艺处理的界面且部分或全部界面与第一界面具有不同的水平高度；其中，第二界面的部分或全部界面与第一界面的水平高度差为0.01‑100μm，UV可剥离胶膜的厚度为1‑100μm；该基板中间体组件经简单处理即可获得理想的已进行特定加工处理的基板，且对基板表面基本无伤害。

技术领域

本实用新型属于半导体器件、金属制品、显示器玻璃基板器件的制造加工领域，具体涉及一种具有UV可剥离胶膜的基板中间体组件。

背景技术

目前，现有技术中在半导体器件、金属制品、显示器玻璃基板器件等制品的加工过程中，有时仅需对其表面的部分区域进行加工处理（例如蚀刻、雷射雕、喷砂、加温等操作），而如果直接在特定部位进行处理，则部分工艺难以兼顾到除前述特定部位之外的其它区域不被处理，造成制品缺陷；针对此问题，技术人员又提出在不需要被处理的部分施加保护处理，例如增加保护材料施加在不需被处理的部位，但目前这种方式处理的基板仍然存在保护的不彻底或者在加工处理过程中对基板存在一定伤害。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术的不足，提供一种改进的且表面部分区域存在可以起到暂时性保护的UV可剥离胶膜的基板中间体组件，此基板中间体组件经简单处理即可获得理想的已进行特定加工处理的基板，且对基板表面基本无伤害。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种具有UV可剥离胶膜的基板中间体组件，所述基板中间体组件包括已进行加工工艺处理的基板、UV可剥离胶膜，所述已进行加工工艺处理的基板包括上表面和侧面，所述上表面包括第一界面、第二界面，所述UV可剥离胶膜覆设在所述第一界面上且密封所述第一界面；

其中，所述第二界面为已进行加工工艺处理的界面且部分或全部界面与所述第一界面具有不同的水平高度，所述第二界面的部分或全部界面与所述第一界面的水平高度差为0.01-100μm，所述UV可剥离胶膜的厚度为1-100μm。

根据本实用新型的一些优选且具体的方面，所述第二界面的部分或全部界面与所述第一界面的水平高度差为0.01-50 μm。

根据本实用新型的一些进一步优选且具体的方面，所述第二界面的部分或全部界面与所述第一界面的水平高度差为0.1-30μm。

在本实用新型的一些实施方式中，所述第二界面的部分或全部界面与所述第一界面的水平高度差为0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm或0.9μm。

在本实用新型的一些实施方式中，所述第二界面的部分或全部界面与所述第一界面的水平高度差为1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm或10μm。

在本实用新型的一些实施方式中，所述第二界面的部分或全部界面与所述第一界面的水平高度差为1.5μm、2.5μm、3.5μm、4.5μm、5.5μm、6.5μm、7.5μm、8.5μm、9.5μm或10μm。

在本实用新型的一些实施方式中，所述第二界面的部分或全部界面与所述第一界面的水平高度差为11μm、12μm、13μm、14μm、15μm、16μm、17μm、18μm、19μm或20μm。

在本实用新型的一些实施方式中，所述第二界面的部分或全部界面与所述第一界面的水平高度差为21μm、22μm、23μm、24μm、25μm、26μm、27μm、28μm、29μm或30μm。

根据本实用新型的一些具体且优选的方面，所述UV可剥离胶膜的厚度为3-50 μm。