[实用新型]负压端口静电防护电路

权利要求书

1.一种负压端口静电防护电路，其特征在于，所述负压端口静电防护电路至少包括：

PMOS管，NMOS管及电阻；

所述PMOS管的源极、栅极及衬底连接电源电压，所述PMOS管的漏极连接所述NMOS管的源极并连接至芯片的负压输入端；所述NMOS管的源极、栅极及P阱电极连接在一起，所述NMOS管的漏极及深阱区电极接参考地；

所述电阻的一端连接所述PMOS管的漏极及所述NMOS管的源极，另一端连接内部电路。

2.根据权利要求1所述的负压端口静电防护电路，其特征在于：所述NMOS管包括衬底，位于衬底上的N型深阱区，位于所述N型深阱区内的P型阱区，位于所述P型阱区中的两个N型注入区，以及位于所述P型阱区上且覆盖于两个N型注入区的栅极结构；其中，所述衬底接地，所述N型深阱区引出深阱区电极，所述P型阱区引出P阱电极，两个N型注入区分别引出源极和漏极，所述栅极结构引出栅极。