[实用新型]负压端口静电防护电路

说明书

本实用新型提供一种负压端口静电防护电路，包括：PMOS管，NMOS管及电阻；所述PMOS管的源极、栅极及衬底连接电源电压，所述PMOS管的漏极连接所述NMOS管的源极并连接至芯片的负压输入端；所述NMOS管的源极、栅极及P阱电极连接在一起，所述NMOS管的漏极及深阱区电极接参考地；所述电阻的一端连接所述PMOS管的漏极及所述NMOS管的源极，另一端连接内部电路。本实用新型的负压端口静电防护电路在输入负压时对人体或机器瞬间接触产生的大电压或大电流进行泄放从而有效保护内部电路，同时通过限流进一步减小对内部电路的损坏。

技术领域

本实用新型涉及集成电路设计领域，特别是涉及一种负压端口静电防护电路。

背景技术

在日常生活中静电积累长会引起人身电击、火灾和爆炸、电子器件失效和损坏，以及对生产的不良影响。其防范原则主要是抑制静电的产生，加速静电的泄漏，进行静电中和等。

通常在集成电路中设置静电防护电路来达到ESD静电保护的作用。当系统没有干扰，正常工作时，静电防护器件可以忽略，几乎不起作用；当外部接口电压超过静电防护器件的击穿电压(VBR，Breakdown Voltage)时，静电防护器件开始起作用，并将电流泻放到地，以此达到静电保护的目的。

在日常应用中，人们往往关注输入正电压的静电防护，当需要输入负电压时，没有很好的解决方案，因此，如何解决输入负压时的静电防护已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种负压端口静电防护电路，用于解决现有技术中不能很好解决输入负压时静电防护的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种负压端口静电防护电路，所述负压端口静电防护电路至少包括：

PMOS管，NMOS管及电阻；

所述PMOS管的源极、栅极及衬底连接电源电压，所述PMOS管的漏极连接所述NMOS管的源极并连接至芯片的负压输入端；所述NMOS管的源极、栅极及P阱电极连接在一起，所述NMOS管的漏极及深阱区电极接参考地；

所述电阻的一端连接所述PMOS管的漏极及所述NMOS管的源极，另一端连接内部电路。

可选地，所述NMOS管包括衬底，位于衬底上的N型深阱区，位于所述N型深阱区内的P型阱区，位于所述P型阱区中的两个N型注入区，以及位于所述P型阱区上且覆盖于两个N型注入区的栅极结构；其中，所述衬底接地，所述N型深阱区引出深阱区电极，所述P型阱区引出P阱电极，两个N型注入区分别引出源极和漏极，所述栅极结构引出栅极。

如上所述，本实用新型的负压端口静电防护电路，具有以下有益效果：

本实用新型的负压端口静电防护电路在输入负压时对人体或机器瞬间接触产生的大电压或大电流进行泄放从而有效保护内部电路，同时通过限流进一步减小对内部电路的损坏。

附图说明

图1显示为本实用新型的负压端口静电防护电路的结构示意图。

图2显示为本实用新型的NMOS管的端口示意图。

图3显示为本实用新型的NMOS管的器件结构示意图。

图4显示为本实用新型的负压端口静电防护电路的工作原理示意图。

元件标号说明

1 负压端口静电防护电路

11 衬底

12 N型深阱区