[实用新型]曝光装置有效
申请号: | 202021749020.6 | 申请日: | 2020-08-20 |
公开(公告)号: | CN212586695U | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 李世波 | 申请(专利权)人: | 深圳市爱普拓思科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02F1/133 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 罗平 |
地址: | 518051 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 装置 | ||
本申请涉及一种曝光装置,包括:液晶显示掩膜;控制器,与所述液晶显示掩膜连接,用于控制所述液晶显示掩膜显示预设的图案;光源,设置于所述液晶显示掩膜的一侧,所述光源发出的第一出射光照射并穿过所述液晶显示掩膜的表面射出第二出射光;其中,所述第二出射光用于照射被曝光物,以使得被曝光物被所述第二出射光照射的表面曝光显示出预设的形状图案。本申请中液晶显示掩膜显示预设的图案不需要使用额外的耗材,成像简单、成本低且成像的准确度高,因而能够有效地降低曝光成本,并提高曝光精确度。
技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域,特别是涉及一种曝光装置。
背景技术
随着半导体技术的快速发展及市场对各种半导体器件需求量的增加,市场对半导体厂商的供货能力与产品质量提出了更高的要求。曝光显影是半导体器件蚀刻工艺中重要的步骤之一,曝光显影形成图案的准确度是影响蚀刻准确度的决定性因素之一,并决定着最终制备半导体器件的良品率、产品的使用寿命及工作的稳定性。
传统的曝光显影的过程一般采用发光二极管(Light Emitting Diode,LED)平行曝光机或采用激光直接成像(Laser Direct Imaging,LDI)的激光曝光机进行曝光处理。然而,LED平行曝光机需要使用菲林作为图像信息的载体,而菲林的制作、使用与保管都需要专业的设备及特殊的环境,处理不当或者遇到特殊的情况会给使用单位带来很大的工作量并增加不必要的使用成本。LDI激光曝光机虽然不需要使用菲林,直接成像,但激光成像的成本高昂,核心部件激光发生器寿命短,导致单次成功曝光的平均成本较高。曝光的成本居高不下且曝光成像的精确度难以达到目标要求,成为制约半导体制备工艺发展的重要影响因素之一。
实用新型内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种能够有效降低曝光成本并提高曝光精确度的曝光装置。
为实现上述目的及其他目的,本申请提供一种曝光装置,包括:
液晶显示掩膜;
控制器,与所述液晶显示掩膜连接,用于控制所述液晶显示掩膜显示预设的图案;
光源,设置于所述液晶显示掩膜的一侧,所述光源发出的第一出射光照射并穿过所述液晶显示掩膜的表面射出第二出射光;
其中,所述第二出射光用于照射被曝光物,以使得被曝光物被所述第二出射光照射的表面曝光显示出预设的形状图案。
于上述实施例中的曝光装置中,通过控制液晶显示掩膜显示预设的图案,使得光源发出的第一出射光照射并穿过所述液晶显示掩膜的表面射出第二出射光,以照射被曝光物,使得被曝光物被所述第二出射光照射的表面曝光显示出预设的形状图案。由于液晶显示掩膜显示预设的图案不需要使用额外的耗材,成像简单、成本低且成像的准确度高,因而能够有效地降低曝光成本,并提高曝光成像的精确度。
在其中一个实施例中,所述第一出射光包括紫外光、LED光及激光中的至少一种,以方便用户根据具体应用场景的不同需求选择光源的出射光的类型。
在其中一个实施例中,所述第一出射光沿垂直于所述液晶显示掩膜的显示图案的表面的方向,照射所述液晶显示掩膜,以提高曝光成像的效率。
在其中一个实施例中,当所述液晶显示掩膜显示预设的图案时,所述第一出射光照射并穿过所述液晶显示掩膜表面预设的图案并射出第二出射光,使得被曝光物被所述第二出射光照射的表面曝光显示出预设的形状图案。
在其中一个实施例中,所述第一出射光照射并穿过,所述液晶显示掩膜表面除了所述预设的图案覆盖的区域外的区域时的出射光的强度小于或等于预设的光强阈值,使得第一出射光照射并穿过所述液晶显示掩膜表面预设的图案并射出第二出射光,并且该第二出射光照射被曝光物的表面能够使得所述被曝光物的表面曝光显示出预设的形状图案,在提高曝光成像的精确度的同时,降低了曝光成像的工艺难度及成本。
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