[实用新型]一种双热源真空回流炉

说明书

本实用新型公开了一种双热源真空回流炉，包括炉体，所述炉体内设置有加热区；传送装置，样品固定在所述传送装置上，所述传送装置将样品自所述炉体一端输送至所述炉体另一端；第一热源和第二热源，设置在所述加热区，用于提供样品焊接的温度，其中，所述第一热源提供热风加热，所述第二热源提供辐射热，所述第一热源和所述第二热源的共同作用，使炉体内升温快、温度更加均匀，以提高样品的焊接质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及对半导体元件进行共晶焊接的真空回流炉。

背景技术

共晶焊接技术在电子封装行业具有广泛的应用，如晶片与基板的粘接、基板与管壳的粘接、管壳封帽等等。与传统的环氧导电胶粘接相比，共晶焊接具有热导率高、热阻低、传热快、可靠性强、粘接后强度大的优点，适用于高频、大功率器件中晶片与基板、基板与管壳的互联。

随着LED技术的高速发展，LED晶片及封装越来越向大功率和集成方向发展，传统的银胶粘接工艺已经很难满足LED晶片的焊接工艺要求，因而，越来越多的LED封装厂家开始尝试其他更先进的焊接工艺来实现LED晶片与支架的粘接，其中，共晶焊接技术被普通认为具有很好的应用前景。

然而，由于LED晶片的共晶熔点大约在300℃以上，而现有技术的LED晶片共晶焊接设备一般采用热风回流炉作为加热装置，这种加热装置加热速度慢、且加热能够达到的最高温度比较低。另外，现有技术中还有采用红外焊接技术的方案，这种方案虽然有热源控制方便、升温速度容易控制的优点，但也存在很多缺点，如更多的感光点会被遮蔽、较少的统一加热、元件和PCB质量的不同会影响加热效果、温差较大等。

实用新型内容

本实用新型提供了一种双热源真空回流炉，可以解决现有技术中的上述缺陷。

本实用新型的技术方案如下：

一种双热源真空回流炉，包括

炉体，所述炉体内设置有加热区；

传送装置，样品固定在所述传送装置上，所述传送装置将样品自所述炉体一端输送至所述炉体另一端；

第一热源和第二热源，设置在所述加热区，用于提供样品焊接的温度，其中，所述第一热源提供热风加热，所述第二热源提供辐射热，所述第一热源和所述第二热源的共同作用，使炉体内升温快、温度更加均匀，以提高样品的焊接质量。

较佳地，所述第一热源、所述第二热源分别从所述传送装置的不同方向加热样品。

较佳地，所述第一热源包括若干电阻丝，所述第一热源分别均匀布设在所述传送装置的正面以及所述传送装置的背面；所述第二热源包括若干红外石英灯，所述第二热源分别均匀布设在所述传送装置的两个侧面。在炉体的顶部、底部安装热电阻丝用于产生热风；在左右两侧安装红外石英灯用于产生辐射能；双热源保证了加热板的升温速度快、温度均匀，能够快速融化锡膏，减少样品空洞率的产生；

较佳地，还包括有一控制系统，所述控制系统分别与所述第一热源及所述第二热源连接，所述控制系统控制所述第一热源与所述第二热源输出的热量比为：60％～75％：25％～40％，使炉体的加热区能够快速升温，降低焊接样品的空洞率。

较佳地，所述第一热源分别对称布设在所述炉体内的顶部和底部，所述第二热源分别对称布设在所述炉体内的两侧。使第一热源、第二热源在炉体内均匀布设，保证加热板受热均匀。

较佳地，所述炉体内还设置有冷却区，所述冷却区位于所述炉体的后端，焊接完成后的样品在所述冷却区完成冷却；所述冷却区采用半导体制冷芯片作为冷源，具有快速冷却的优点。

较佳地，所述炉体内还设置有若干等离子风扇，使电阻丝的的热量、半导体制冷芯片的冷量分散均匀。