[实用新型]一种晶圆下片设备

说明书

本实用新型涉及一种晶圆下片设备，包括壳体、圆形管、连接管、第一管道、第二管道以及调节管道，壳体为圆形空腔结构，且壳体的外端均匀开设有若干个通孔，壳体内均匀固定连接有若干个圆形管，且圆形管为同心圆设置；每个圆形管上均匀设置有若干个吸头，且吸头通过通孔穿过壳体位于壳体的外端；连接管与圆形管连接，且连接管与圆形管内相通，连接管与第一管道相通固定连接，且第一管道通过调节管道与第二管道连接；调节管道上开设有连接凸起；通过转动螺纹杆带动调节块向上或向下运动，所以便能够调节固定块上吸气孔漏出的数量，所以便可根据晶圆的厚度进行吸气大小调节，增加了吸取效率，避免晶圆损坏。

技术领域

本实用新型涉及晶圆吸取设备技术领域，具体为一种晶圆下片设备。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品；

在晶圆生产制程的后封装工序中，经常会利用顶针将晶圆从吸附蓝膜上顶起，使晶圆离开蓝膜，然后利用吸头吸取晶圆，将晶圆放置到指定位置；

由于现在晶圆厚度不一样，现有的吸头结构简单，且不能够调节吸头的吸气大小，这样就会导致厚度较大的晶圆吸取的不稳定，厚度较薄的晶圆吸力过大，可能会损坏晶圆；

综上所述，本申请现提出一种晶圆下片设备，来解决上述出现的问题。

实用新型内容

本实用新型目的是提供一种晶圆下片设备，以解决上述背景技术中提出的问题，本实用新型使用方便，操作简单，系统性高，实用性强。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种晶圆下片设备，包括壳体、圆形管、连接管、第一管道、第二管道以及调节管道，所述壳体为圆形空腔结构，且所述壳体的外端均匀开设有若干个通孔，所述壳体内均匀固定连接有若干个圆形管，且所述圆形管为同心圆设置；每个所述圆形管上均匀设置有若干个吸头，且所述吸头通过通孔穿过壳体位于壳体的外端；所述连接管与圆形管连接，且所述连接管与圆形管内相通，所述连接管与第一管道相通固定连接，且所述第一管道通过调节管道与第二管道连接；所述调节管道上开设有连接凸起，且所述连接凸起内部为空腔结构，所述连接管内固定连接有固定块，且所述固定块上均匀开设有若干个吸气孔，所述连接凸起内滑动连接有调节块，且所述连接凸起内还固定连接有固定板，且所述调节块的顶端固定连接有滑杆，且所述滑杆穿过固定板与滑板固定连接，所述滑板的顶端转动连接有螺纹杆；所述连接凸起的顶端开设有螺纹孔，且所述螺纹杆通过螺纹孔螺纹连接于连接凸起。

优选的，还包括套管、套杆以及弹簧，所述套杆固定连接于滑板的顶端，所述套管固定连接于连接凸起的内顶端，且所述套杆滑动连接于套管，所述套杆以及套管上套设有弹簧，且所述弹簧的两端分别与滑板以及连接凸起的内顶端连接。

优选的，所述滑杆贯穿固定板的位置固定镶嵌有密封圈。

优选的，所述壳体的外端还固定连接有软垫。

优选的，位于所述连接凸起的顶端的螺纹杆固定连接有把手。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过设置圆形管、连接管、第一管道、第二管道以及调节管道的相互配合，通过转动螺纹杆带动调节块向上或向下运动，所以便能够调节固定块上吸气孔漏出的数量，所以便可根据晶圆的厚度进行吸气大小调节，增加了吸取效率，避免晶圆损坏，所以本设备结构简单，操作方便，能够通过转动螺纹杆调节吸气大小，适用于不同厚度的晶圆，增加了本设备的实用性。

附图说明

图1为本实用新型壳体的俯视结构示意图；

图2为本实用新型中圆形管的结构示意图；

图3为本实用新型中壳体的侧视结构示意图；