[实用新型]集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路包括：

半导体衬底；

电容器，包括：

第一阱，在所述半导体衬底中，形成所述电容器的第一板；

第一沟槽，垂直延伸到所述第一阱中，所述第一沟槽包括通过第一绝缘层与所述第一阱绝缘的第一中心导体；

第二绝缘层，在所述半导体衬底的所述第一阱之上的顶表面上，所述第二绝缘层具有第一厚度；以及

第一导电材料层，在所述第二绝缘层上，所述第一导电材料层电连接到所述第一中心导体，其中所述第一导电材料层和所述第一中心导体形成所述电容器的第二板；以及

存储器单元，包括：

第二阱，在所述半导体衬底中；

第二沟槽，垂直延伸到所述第二阱中，所述第二沟槽包括通过第三绝缘层与所述第二阱绝缘的第二中心导体，其中所述第二中心导体形成所述存储器单元的存取晶体管的栅极电极；

第四绝缘层，在所述半导体衬底的所述第二阱之上的所述顶表面上，所述第四绝缘层具有小于所述第一厚度的第二厚度；以及

第二导电材料层，在所述第四绝缘层上，其中所述第二导电材料层形成所述存储器单元的浮置栅极晶体管的浮置栅极电极。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括：

MOS晶体管，包括：

第三阱，在所述半导体衬底中；

第五绝缘层，在所述半导体衬底的所述第三阱之上的所述顶表面上，所述第五绝缘层具有所述第一厚度；以及

第三导电材料层，在所述第五绝缘层上，其中所述第三导电材料层形成所述MOS晶体管的栅极电极。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述第二阱和所述第三阱掺杂有相同导电类型，并且所述第一阱掺杂有相反导电类型。

4.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述MOS晶体管是被配置成在6伏至12伏的高压范围上操作的高压MOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第二阱以三阱架构与所述半导体衬底绝缘。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，所述第一阱以所述三阱架构与所述半导体衬底绝缘。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一阱和所述第二阱掺杂有相同导电类型。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层是由氧化物制成的。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第二绝缘层和所述第四绝缘层是在所述衬底的所述顶表面上的公共绝缘层的部分。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的每个沟槽下方的掺杂区域，所述第二沟槽下方的掺杂区域形成所述存储器单元的所述存取晶体管的源极区域。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于：

所述电容器还包括第三导电材料层，所述第三导电材料层与所述第一导电材料层绝缘并且电连接到所述第一阱，以形成所述电容器的所述第一板；并且

所述存储器单元还包括与所述第二导电材料层绝缘的第四导电材料层，以形成所述浮置栅极晶体管的控制栅极电极。

12.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一厚度在80 Å至120 Å的范围内。

13.根据权利要求12所述的集成电路，其特征在于，第一多晶硅层具有在900 Å至1400Å的范围内的厚度。