[实用新型]集成电路

说明书

在此公开了一种集成电路，包括：半导体衬底；电容器，包括：衬底中的第一阱，形成电容器第一板；垂直延伸到第一阱中的第一沟槽，其包括通过第一绝缘层与第一阱绝缘的第一中心导体；衬底第一阱上的顶表面上有第一厚度的第二绝缘层；和第二绝缘层上的电连接第一中心导体的第一导电材料层，其和第一中心导体形成电容器第二板；和存储器单元，包括：衬底中的第二阱；垂直延伸到第二阱中的第二沟槽，其包括通过第三绝缘层与第二阱绝缘的第二中心导体，其形成存储器单元的存取晶体管的栅极电极；衬底第二阱上的顶表面上的第四绝缘层，其有小于第一厚度的第二厚度；和第四绝缘层上的第二导电材料层，其形成存储器单元的浮置栅极晶体管的浮置栅极电极。

技术领域

实施例和实施方式涉及集成电路，并且特别地涉及电容性元件 (诸如垂直构造的电容性元件)与高压MOS晶体管和存储器单元的过程共集成。

背景技术

诸如电荷存储电容器的电容性元件通常是集成电路架构中的庞大部件。

此外，集成电路部件制造过程步骤通常数量众多并且昂贵，并且限制了仅专用于制造单个元件或单个类型的元件的实施步骤。

因此，期望增加集成电路电容性元件架构的每单位面积的电容，并且与集成电路的其他部件的生产相结合地实施其制造步骤。

实用新型内容

根据本实用新型，可以克服上述技术问题，有助于实现以下优点：增加集成电路电容性元件架构的每单位面积的电容，并且与集成电路的其他部件的生产相结合地实施其制造步骤。

在一个实施例中，一种集成电路包括：半导体衬底；由半导体衬底支撑的电容器；以及由半导体衬底支撑的存储器单元。电容器包括：第一阱，在半导体衬底中，形成电容器的第一板；第一沟槽，垂直延伸到第一阱中，所述第一沟槽包括通过第一绝缘层与第一阱绝缘的第一中心导体；第二绝缘层，在半导体衬底的所述第一阱之上的顶表面上，所述第二绝缘层具有第一厚度；以及在第二绝缘层上的第一导电材料层，所述第一导电材料层电连接到第一中心导体，其中第一导电材料层和第一中心导体形成电容器的第二板。存储器单元包括：第二阱，在半导体衬底中；第二沟槽，垂直延伸到第二阱中，所述第二沟槽包括通过第三绝缘层与第二阱绝缘的第二中心导体，其中第二中心导体形成存储器单元的存取晶体管的栅极电极；第四绝缘层，在半导体衬底的所述第二阱之上的顶表面上，所述第四绝缘层具有小于第一厚度的第二厚度；以及第二导电材料层，在第四绝缘层上，其中第二导电材料层形成存储器单元的浮置栅极晶体管的浮置栅极电极。

在一个实施例中，集成电路还包括：

MOS晶体管，包括：

第三阱，在半导体衬底中；

第五绝缘层，在半导体衬底的第三阱之上的顶表面上，第五绝缘层具有第一厚度；以及

第三导电材料层，在第五绝缘层上，其中第三导电材料层形成MOS晶体管的栅极电极。

在一个实施例中，第二阱和第三阱掺杂有相同导电类型，并且第一阱掺杂有相反导电类型。

在一个实施例中，MOS晶体管是被配置成在6伏至12伏的高压范围上操作的高压MOS晶体管。

在一个实施例中，第二阱以三阱架构与半导体衬底绝缘。

在一个实施例中，第一阱以三阱架构与半导体衬底绝缘。

在一个实施例中，第一阱和第二阱掺杂有相同导电类型。

在一个实施例中，第二绝缘层和第四绝缘层是由氧化物制成的。

在一个实施例中，第二绝缘层和第四绝缘层是在衬底的顶表面上的公共绝缘层的部分。

在一个实施例中，集成电路还包括在第一沟槽和第二沟槽中的每个沟槽下方的掺杂区域，第二沟槽下方的掺杂区域形成存储器单元的存取晶体管的源极区域。