[实用新型]一种刻蚀机用刻蚀电极的下电极结构

说明书

本实用新型涉及刻蚀机用刻蚀电极结构技术领域，具体涉及一种刻蚀机用刻蚀电极的下电极结构，包括下电极托盘和支撑托盘，下电极托盘的底部设有支撑托盘，下电极托盘的底部和支撑托盘的顶部均均匀开设有若干凹槽，且上下两侧凹槽内放置有多程U型管，下电极托盘的顶部均匀开设有放置槽，放置槽的底部轴心处开设有第一吸附孔，本实用新型提供了一种刻蚀机用刻蚀电极的下电极结构，通过一系列结构的设计和使用，避免了大多对下电极托盘上放置的晶片经底部进行通入冷却气流进行冷却的方式，但通入的冷却气流会使放置的晶片发生偏移现象，导致刻蚀效果差的问题。

技术领域

本实用新型涉及刻蚀机用刻蚀电极结构技术领域，具体涉及一种刻蚀机用刻蚀电极的下电极结构。

背景技术

刻蚀是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的工艺步骤，是与光刻相联系的图形化(pattern) 处理的一种主要工艺。下电极不仅是刻蚀系统刻蚀基片的支撑，而且为刻蚀腔中等离子体系统通过下偏压，使等离子体下基片加速运动从而对基片进行物理轰击，从而产生刻蚀作用。

现有市场上的刻蚀机用刻蚀电极的下电极结构在进行使用过程中大多对下电极托盘上放置的晶片经底部进行通入冷却气流进行冷却的方式，但通入的冷却气流会使放置的晶片发生偏移现象，导致刻蚀效果差，因此亟需研发一种刻蚀机用刻蚀电极的下电极结构来解决上述问题。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种刻蚀机用刻蚀电极的下电极结构，通过一系列结构的设计和使用，避免了大多对下电极托盘上放置的晶片经底部进行通入冷却气流进行冷却的方式，但通入的冷却气流会使放置的晶片发生偏移现象，导致刻蚀效果差的问题。

本实用新型通过以下技术方案予以实现：

一种刻蚀机用刻蚀电极的下电极结构，包括下电极托盘和支撑托盘，所述下电极托盘的底部设有所述支撑托盘，所述下电极托盘的底部和所述支撑托盘的顶部均均匀开设有若干凹槽，且上下两侧所述凹槽内放置有多程U型管，所述下电极托盘的顶部均匀开设有放置槽，所述放置槽的底部轴心处开设有第一吸附孔，且所述第一吸附孔贯穿所述下电极托盘，所述第一吸附孔相对应的所述支撑托盘上开设有第二吸附孔，所述第二吸附孔贯穿所述支撑托盘的顶壁与所述支撑托盘的真空腔相连通，所述支撑托盘的底部开设有与所述支撑托盘的真空腔相连通的连通孔。

优选的，所述下电极托盘和所述支撑托盘的四角对应设有固定耳板，且上下两侧所述固定耳板通过螺栓相固定。

优选的，所述下电极托盘和所述支撑托盘之间的四周边缘处通过密封焊接设置。

优选的，所述凹槽和所述放置槽呈交错结构设置。

优选的，所述多程U型管为高导热铝合金管材质制成，且所述多程U型管的一端与外部冷却水进入管相连通，另一端与外部冷却水排出管相连通。

优选的，所述放置槽在横向和纵向上均呈八组排列的矩形陈列结构设置。

优选的，所述连通孔与外部真空抽气装置的抽气管相连通。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型在采用上述的结构和设计使用下，避免了大多对下电极托盘上放置的晶片经底部进行通入冷却气流进行冷却的方式，但通入的冷却气流会使放置的晶片发生偏移现象，导致刻蚀效果差的问题；

而且本实用新型结构新颖，设计合理，使用方便，具有较强的实用性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。