[实用新型]一种双层的像素补偿电路

权利要求书

1.一种双层的像素补偿电路，其特征在于，包括在基板上设置的下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区和上下层连接线，上层薄膜晶体管区与基板的间距大于下层薄膜晶体管区与基板的间距；

所述下层薄膜晶体管区包括三个薄膜晶体管和一个电容C1，三个薄膜晶体管分别为薄膜晶体管T1、薄膜晶体管T2和薄膜晶体管T3，所述薄膜晶体管T1的栅极与Scan1连接，所述薄膜晶体管T1的源极用于与Vref连接，所述薄膜晶体管T1的漏极与所述薄膜晶体管T2的漏极连接，所述薄膜晶体管T2的栅极与Scan2连接，所述薄膜晶体管T2的源极用于与Vdate连接，所述薄膜晶体管T1的漏极与所述薄膜晶体管T2的漏极相连接的线路上设置有第一节点，所述电容C1的一端与所述第一节点连接，所述电容C1的另一端与所述薄膜晶体管T3的漏极连接，所述电容C1的另一端与所述薄膜晶体管T3的漏极相连接的线路上设置有第二节点，所述薄膜晶体管T3的源极用于与Vsus连接，所述薄膜晶体管T3的栅极用于与Reset连接；

所述上层薄膜晶体管区包括两个薄膜晶体管、一个电容C2和一个有机发光二极管，两个薄膜晶体管分别为薄膜晶体管T4和薄膜晶体管T5，所述薄膜晶体管T5的栅极用于与EM连接，所述薄膜晶体管T5的漏极用于与VDD连接，所述薄膜晶体管T5的源极与所述薄膜晶体管T4的漏极连接，所述薄膜晶体管T4的源极与有机发光二极管的正极连接，所述有机发光二极管的负极用于与VSS连接；

所述薄膜晶体管T4的栅极上设置有第三节点，所述薄膜晶体管T4的源极与有机发光二极管的正极相连接的线路上设置有第四节点，所述电容C2的一端与第三节点连接，所述电容C2的另一端与第四节点连接；

所述上下层连接线包括第一上下层连接线和第二上下层连接线，第一上下层连接线的一端与所述第一节点连接，第一上下层连接线的另一端与所述第三节点连接，第二上下层连接线的一端与所述第二节点连接，第二上下层连接线的另一端与所述第四节点连接。

2.根据权利要求1所述的一种双层的像素补偿电路，其特征在于，所述下层薄膜晶体管区的薄膜晶体管均包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极；

所述第一有源层设置在所述基板上，所述第一有源层上设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置有所述第一栅极，所述第一栅极上设置有第二绝缘层，第二绝缘层上设置有所述第一源极和所述第一漏极，所述第一源极通过第二绝缘层上的一个孔连接所述第一有源层，所述第一漏极通过第二绝缘层上的另一个孔连接所述第一有源层，所述第一栅极位于第一源极和第一漏极之间。

3.根据权利要求1或2所述的一种双层的像素补偿电路，其特征在于，所述下层薄膜晶体管区的薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

4.根据权利要求2所述的一种双层的像素补偿电路，其特征在于，所述上层薄膜晶体管区的薄膜晶体管均包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极；

所述第二栅极设置在所述第一绝缘层上，所述第二栅极上设置有所述第二绝缘层，所述第二绝缘层上设置有所述第二有源层，第二有源层位于第二栅极上方，所述第二有源层上设置有第二源极和第二漏极。

5.根据权利要求2所述的一种双层的像素补偿电路，其特征在于，所述上层薄膜晶体管区的薄膜晶体管均包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极；

所述第二有源层设置在所述第二绝缘层上，所述第二有源层上设置有第三绝缘层，第三绝缘层上设置有所述第二栅极，第二栅极位于第二有源层上方，所述第二栅极上设置有第四绝缘层，第四绝缘层上设置有所述第二源极和第二漏极，所述第二源极通过第四绝缘层上的一个孔连接所述第二有源层，所述第二漏极通过第四绝缘层上的另一个孔连接所述第二有源层。

6.根据权利要求1或4或5所述的一种双层的像素补偿电路，其特征在于，所述上层薄膜晶体管区的薄膜晶体为氧化物半导体薄膜晶体管。