[实用新型]一种双层的像素补偿电路

说明书

本实用新型公布一种双层的像素补偿电路，包括在基板上设置的下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区和上下层连接线，下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区通过上下层连接线连接起来，上层薄膜晶体管区与基板的间距大于下层薄膜晶体管区与基板的间距，上层薄膜晶体管区上设置有有机发光二极管。上述技术方案可以进一步地缩小补偿电路占据基板的面积，使得单个像素的占用面积减小，还可以提高面板的解析度和像素密度，并改善面板的显示效果。

技术领域

本实用新型涉及像素补偿电路技术领域，尤其涉及一种双层的像素补偿电路。

背景技术

当今，随着科技水平的不断提升，人们对显示器画面的要求也在提高，即对高解析度的需求增大，例如VR、AR和MR等显示器的解析度高达2000像素密度(Pixels Per Inch，缩写PPI)以上。对于OLED面板来说，面内2T1C Pixel电路会受到Vth漂移的影响导致面板发光亮度不均匀，需要补偿电路提升面板显示效果，而为了达到更好地补偿效果，补偿电路会有多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)。但是TFT过多会使Pixel所占面积增大，进而导致面板容纳的像素(Pixel)的数量减少，即解析度变低，无法满足高解析度的要求。

如今对面板的显示品质需求水平越来越高，提高显示器的解析度尤为重要。我们知道对于OLED面板来说，由于制程和老化的影响，如产生Vth漂移，会对面板显示效果产生极大的影响。为了消除这一影响，OLED面板的Pixel电路通常会增加TFT作为补偿电路，且通常补偿效果越好。TFT会越多，这样会导致Pixel所占面积过大，降低解析度。如将像素补偿电路中Driving TFT替换成电子迁移率更高的LTPS TFT，即LTPO(Low TemperaturePolycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)，可减小TFT的尺寸，增大解析度。

LTPO英文全称为Low Temperature Polycrystalline Oxide，中文名字叫低温多晶氧化物。目前OLED小尺寸的主要两大背板技术是LTPS和氧化物，而LTPO是一种新型背板技术，它结合了这两种技术的优点，以低生产成本实现更高的电荷迁移率，稳定性和可扩展性。

实用新型内容

为此，需要提供一种双层的像素补偿电路，解决5T2C的补偿电路提升面板的解析度的程度较低的问题。

为实现上述目的，本实施例提供了一种双层的像素补偿电路，包括在基板上设置的下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区和上下层连接线，上层薄膜晶体管区与基板的间距大于下层薄膜晶体管区与基板的间距；

所述下层薄膜晶体管区包括三个薄膜晶体管和一个电容C1，三个薄膜晶体管分别为薄膜晶体管T1、薄膜晶体管T2和薄膜晶体管T3，所述薄膜晶体管T1的栅极与Scan1连接，所述薄膜晶体管T1的源极用于与Vref连接，所述薄膜晶体管T1的漏极与所述薄膜晶体管T2的漏极连接，所述薄膜晶体管T2的栅极与Scan2连接，所述薄膜晶体管T2的源极用于与Vdate连接，所述薄膜晶体管T1的漏极与所述薄膜晶体管T2的漏极相连接的线路上设置有第一节点，所述电容C1的一端与所述第一节点连接，所述电容C1的另一端与所述薄膜晶体管T3的漏极连接，所述电容C1的另一端与所述薄膜晶体管T3的漏极相连接的线路上设置有第二节点，所述薄膜晶体管T3的源极用于与Vsus连接，所述薄膜晶体管T3的栅极用于与Reset连接；

所述上层薄膜晶体管区包括两个薄膜晶体管、一个电容C2和一个有机发光二极管，两个薄膜晶体管分别为薄膜晶体管T4和薄膜晶体管T5，所述薄膜晶体管T5的栅极用于与EM连接，所述薄膜晶体管T5的漏极用于与VDD连接，所述薄膜晶体管T5的源极与所述薄膜晶体管T4的漏极连接，所述薄膜晶体管T4的源极与有机发光二极管的正极连接，所述有机发光二极管的负极用于与VSS连接；

所述薄膜晶体管T4的栅极上设置有第三节点，所述薄膜晶体管T4的源极与有机发光二极管的正极相连接的线路上设置有第四节点，所述电容C2的一端与第三节点连接，所述电容C2的另一端与第四节点连接；