[实用新型]异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

单晶硅衬底，所述单晶硅衬底具有相背设置的第一主面与第二主面、以及连接所述第一主面与所述第二主面的侧面，所述第一主面与所述第二主面中的一个为受光面，另一个为背光面；第一非晶膜，位于所述单晶硅衬底的第一主面且周边延伸至覆盖全部所述侧面以及所述第二主面边缘区域，由所述单晶硅衬底指向所述第一非晶膜的方向上，所述第一非晶膜包括依次层叠设置的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层；第一透明导电膜层，位于所述第一非晶膜背离所述单晶硅衬底的一侧表面；第一集电极，位于所述第一透明导电膜层背离所述第一非晶膜的一侧表面；第二非晶膜，位于所述单晶硅衬底的第二主面且周边延伸至覆盖所述第一非晶膜与所述侧面相对应的区域，由所述单晶硅衬底指向所述第二非晶膜的方向上，所述第二非晶膜包括依次层叠设置的第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂非晶层掺杂类型相反的第二掺杂非晶层；第二透明导电膜层，位于所述第二非晶膜背离所述单晶硅衬底的一侧表面；第二集电极，位于所述第二透明导电膜层背离所述第二非晶膜的一侧表面；

所述第一非晶膜与所述第二非晶膜中位于所述受光面的厚度小于或等于位于所述背光面的厚度。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一非晶膜与所述第二非晶膜中位于所述受光面的厚度为6-21nm、位于所述背光面的厚度为6-30nm。

3.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层中位于所述受光面的厚度小于或等于位于所述背光面的厚度。

4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层中位于所述受光面的厚度为3-6nm，位于所述背光面的厚度为3-10nm。

5.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面一侧的厚度小于或等于位于所述背光面一侧的厚度。

6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面一侧的厚度为3-15nm，位于所述背光面一侧的厚度为3-20nm。

7.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，由所述背光面指向所述受光面的方向上，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的依次包括第一掺杂非晶硅膜以及位于所述第一掺杂非晶硅膜表面的掺杂非晶氧化硅膜、掺杂非晶碳化硅膜或掺杂非晶碳化硅/掺杂非晶氧化硅复合膜。

8.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述受光面的还包括位于所述掺杂非晶氧化硅膜、所述掺杂非晶碳化硅膜或所述掺杂非晶碳化硅/掺杂非晶氧化硅复合膜表面的第二掺杂非晶硅膜。

9.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，由所述受光面指向所述背光面的方向上，所述第一掺杂非晶层与所述第二掺杂非晶层中位于所述背光面的依次包括第三掺杂非晶硅膜以及位于所述第三掺杂非晶硅膜表面且掺杂浓度大于所述第三掺杂非晶硅膜的第四掺杂非晶硅膜。

10.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层延伸至所述侧面的区域厚度不小于1nm。

11.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层分别包括至少两层层叠设置的本征膜。

12.根据权利要求11所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一本征非晶层和/或所述第二本征非晶层中离所述单晶硅衬底最远的一层本征膜为本征非晶氧化硅膜。