[实用新型]异质结太阳能电池

说明书

本实用新型提供了一种异质结太阳能电池，所涉及异质结太阳能电池的单晶硅衬底具有绕镀至侧面的非晶膜，且非晶膜位于受光面的厚度小于或等于非晶膜位于背光面的厚度；基于本实用新型所提供的异质结太阳能电池，可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底之间形成直接接触导致漏电，降低单晶硅衬底边缘受损风险，而且还能有效降低太阳光在进入受光面时的损耗，可提高异质结太阳能电池的短路电流，使得异质结太阳能电池具有较好的光电转化效率。

技术领域

本实用新型涉及光伏制造领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池。

背景技术

异质结太阳能电池是目前一种较为高效的晶硅太阳能电池，其结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的特征，具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点。图1所示为现有技术所涉及异质结太阳能电池的结构示意图，其自上至下依次包括第一集电极51＇、第一透明导电膜层41＇、第一掺杂非晶层 31＇、第一本征非晶层21＇、单晶硅衬底10＇、第二本征非晶层22＇、第二掺杂非晶层32＇、第二透明导电膜层42＇、第二集电极52＇。

在现有技术异质结太阳能电池具体制作过程中，通常先通过PECVD工艺完成单晶硅衬底10＇两表面第一本征非晶层21＇、第二本征非晶层22＇、第一掺杂非晶层31＇、第二掺杂非晶层32＇共四层非晶层的制作；继而PVD工艺进行第一透明导电膜层41＇与第二透明导电膜层42＇的制作；最后通过丝网印刷工艺进行第一集电极51＇与第二集电极52＇的制作。

在四层非晶层的具体制作过程中，现有技术均需要通过布置金属掩模，使得第一本征非晶层21＇、第二本征非晶层22＇、第一掺杂非晶层31＇与第二掺杂非晶层32＇仅成型于单晶硅衬底10＇两个主面，即第一本征非晶层21＇、第二本征非晶层22＇、第一掺杂非晶层31＇与第二掺杂非晶层32＇均不延伸至单晶硅衬底10＇的侧面。

然现有技术所涉及的异质结太阳能电池存在以下问题：单晶硅衬底10＇侧面无非晶层遮挡，第一透明导电膜层41＇、第二透明导电膜层42＇易与单晶硅衬底10＇之间形成直接接触，存在漏电风险；单晶硅衬底10＇边缘直接暴露会增加边缘受损风险；单晶硅衬底10＇边缘区域钝化不充分。

有鉴于此，有必要提供一种改进的技术方案以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一，为实现上述实用新型目的，本实用新型提供了一种异质结太阳能电池，其具体设计方式如下。

一种异质结太阳能电池，其包括：

单晶硅衬底，所述单晶硅衬底具有相背设置的第一主面与第二主面、以及连接所述第一主面与所述第二主面的侧面，所述第一主面与所述第二主面中的一个为受光面，另一个为背光面；第一非晶膜，位于所述单晶硅衬底的第一主面且周边延伸至覆盖全部所述侧面以及所述第二主面边缘区域，由所述单晶硅衬底指向所述第一非晶膜的方向上，所述第一非晶膜包括依次层叠设置的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层；第一透明导电膜层，位于所述第一非晶膜背离所述单晶硅衬底的一侧表面；第一集电极，位于所述第一透明导电膜层背离所述第一非晶膜的一侧表面；第二非晶膜，位于所述单晶硅衬底的第二主面且周边延伸至覆盖所述第一非晶膜与所述侧面相对应的区域，由所述单晶硅衬底指向所述第二非晶膜的方向上，所述第二非晶膜包括依次层叠设置的第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂非晶层掺杂类型相反的第二掺杂非晶层；第二透明导电膜层，位于所述第二非晶膜背离所述单晶硅衬底的一侧表面；第二集电极，位于所述第二透明导电膜层背离所述第二非晶膜的一侧表面；

所述第一非晶膜与所述第二非晶膜中位于所述受光面的厚度小于或等于位于所述背光面的厚度。

进一步，所述第一非晶膜与所述第二非晶膜中位于所述受光面的厚度为 6-21nm、位于所述背光面的厚度为6-30nm。

进一步，所述第一本征非晶层与所述第二本征非晶层中位于所述受光面的厚度小于或等于位于所述背光面的厚度。