[实用新型]一种多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷环的清洗装置有效
申请号: | 202021790363.7 | 申请日: | 2020-08-24 |
公开(公告)号: | CN212944360U | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 丁建 | 申请(专利权)人: | 新疆大全新能源股份有限公司 |
主分类号: | B08B3/10 | 分类号: | B08B3/10;B08B3/08;B08B13/00;F28D1/047 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 孟阿妮;张小勇 |
地址: | 832000 新疆维吾尔自治区石*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 还原 氮化 陶瓷 清洗 装置 | ||
本实用新型涉及多晶硅生产技术领域,具体涉及一种多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷环的清洗装置,其包括:容器、支撑件和加热组件;容器具有上端开口的容腔;容器上具有第一进液口,第一进液口与容腔连通,用于输入脱盐水;容器上具有第二进液口,第二进液口与容腔连通,用于输入碱液;容器的底部设置有排液口,排液口与容腔连通;支撑件设置在容腔内,用于放置氮化硅磁环;支撑件被容器支撑水平设置;支撑件上具有通孔;支撑件位于第一进液口和第二进液口的下方;加热组件设置在容腔内,位于支撑件的下方;加热组件上具有蒸汽入口;加热组件上具有蒸汽出口。采用本实用新型能够能够减少氮化硅陶瓷环的转运次数,提升清洗效率。
技术领域
本实用新型涉及多晶硅生产技术领域,尤其涉及一种多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷环的清洗装置。
背景技术
在生产多晶硅的生产技术中,改良西门子法为主要的生产方法。多晶硅还原炉电极及其配件是多晶硅生产中产出最终产品的核心设备,也是决定还原炉正常生产稳定的关键环节。还原炉电极及配件是生产多晶硅的核心部件,关系到还原炉稳定性,决定还原炉的产能。还原炉电极与还原炉底盘的绝缘依靠四氟套和氮化硅磁环。氮化硅磁环同时起着延长底盘与炉内电极头之间高压击穿时爬电距离的作用。由于氮化硅磁环在炉内,受还原炉内高温和物料的影响,结垢严重同时不易清理,造成绝缘下降,在高压击穿和正常生产过程中接地。所以氮化硅磁环需要定期拆下更换。
由于氮化硅磁环采购价格较贵,因此,定期将氮化硅磁环更换下来,清洗表面垢层后回收利用,可以大大节约成本。氮化硅磁环在清洗过程中,需要经过碱洗,水洗,烘干等清洗过程,由于目前的碱洗设备、水洗设备和烘干设备都是独立设置的,所以经常需要在不同的设备间转运;由于氮化硅磁环易碎,稍微碰撞就会损坏,同时不同设备中转运,影响清洗效率;而且,劳动负荷重,清洗效果会受到影响,并且,在碱液池中打捞,也容易造成碱液溅出伤人事故,造成人员安全和磁环损坏等隐患。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供一种多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷环的清洗装置,主要目的在于能够减少氮化硅陶瓷环的转运次数,提升清洗效率。
为达到上述目的,本实用新型主要提供如下技术方案:
本实用新型的实施例提供一种多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷环的清洗装置,包括:容器、支撑件和加热组件;
所述容器具有上端开口的容腔;
所述容器上具有第一进液口,所述第一进液口与所述容腔连通,用于输入脱盐水;
所述容器上具有第二进液口,所述第二进液口与所述容腔连通,用于输入碱液;
所述容器的底部设置有排液口,所述排液口与所述容腔连通;
所述支撑件设置在所述容腔内,用于放置氮化硅磁环;所述支撑件被所述容器支撑水平设置;所述支撑件上具有通孔;
所述支撑件位于所述第一进液口和所述第二进液口的下方;
所述加热组件设置在所述容腔内,位于所述支撑件的下方;所述加热组件上具有蒸汽入口,用于蒸汽的进入;所述加热组件上具有蒸汽出口,用于蒸汽的流出。
进一步地,所述容腔为1个或多个;多个所述容腔阵列设置。
进一步地,多个所述容腔位于同一水平面。
进一步地,所述第一进液口上设置有第一控制阀,用于控制所述第一进液口的液体流量;
所述第二进液口上设置有第二控制阀,用于控制所述第二进液口的液体流量;
所述排液口上设置有排液阀,用于控制所述排液口的通断。
进一步地,所述蒸汽入口上设置有蒸汽进口阀;
所述蒸汽出口上设置有蒸汽出口阀。
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