[实用新型]超声波清洗漕结构

说明书

本实用新型公开了一种超声波清洗漕结构，包括：内槽体用于容置清洗液和被清洗晶圆，被清洗晶圆浸泡于清洗液中；外槽体底部形成有内槽体安装孔，内槽体自内槽体安装孔进入外槽体，外槽体与内槽体之间形成容置空间，自内槽体溢出的清洗液能被容置于外槽体和内槽体之间的容置空间；多个扩散喷嘴形成有内槽体内侧壁，其用于将化学清洗液喷射向被清洗晶圆；每个扩散喷嘴设有独立控制扩散喷嘴控制阀或所有扩散喷嘴设有统一的扩散喷嘴控制阀。本实用新型能实现对清洗槽的彻底清洗，清洗效果好且有保障，可有效改善金属研磨后对产品的清洗效果，提高集成电路芯片产品的良品率和产品均一性。

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种用于集成电路晶圆金属工艺研磨后清洗的超声波清洗漕结构。

背景技术

在集成电路金属工艺制程后需要对金属层进行研磨，以铜研磨后为例，会经过超声波清洗漕对制品研磨后残留的副产物(主要是铜副产物)进行去除。但随着时间的累计，会在容器的侧壁形成结晶副产物，造成制品表面的去除能力变差。目前都是通过手动对清洗漕清洗，由于漕口狭小且深，人工手动清洗非常困难，会造成晶圆清洗不彻底仍然存在残留副产物，残留副产物对集成电路芯片生产的良品率和产品均一性产生影响。

实用新型内容

在实用新型内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本实用新型的实用新型内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于用于集成电路晶圆金属工艺研磨后清洗，能彻底清除清洗槽内清洗残留副产物的超声波清洗漕结构。

为解决上述技术问题，本实用新型提供用于集成电路晶圆金属工艺研磨后清洗的超声波清洗漕结构，包括：

内槽体，其用于容置清洗液和被清洗晶圆，被清洗晶圆浸泡于清洗液中；所述清洗液是集成电路制造领域现有的、常用的清洗液，其由水和其他化学液体组成。该清洗液的具体成分根据工艺/生产厂商的不同而略有差异。其具体组成部分，在集成电路制造领域存在各种公开文献。

外槽体，其底部形成有内槽体安装孔，内槽体自内槽体安装孔进入外槽体，外槽体与内槽体之间形成容置空间，自内槽体溢出的清洗液能被容置于外槽体和内槽体之间的容置空间；

多个扩散喷嘴，其形成有内槽体内侧壁，其用于将化学清洗液喷射向其对侧的内槽体侧壁；

其中，每个扩散喷嘴设有独立控制扩散喷嘴控制阀或所有扩散喷嘴设有统一的扩散喷嘴控制阀。

当每个扩散喷嘴设有独立控制扩散喷嘴控制阀时，可以通过对扩散喷嘴的单独控制实现内槽体的局部清洗。例如，局部还存在残留副产物则开启对应的扩散喷嘴控制阀。

当所有扩散喷嘴设有统一的扩散喷嘴控制阀，则可以设置足够长的预设时段(扩散喷嘴喷射化学清洗液的时间)，实现彻底清洗。

可选择的，进一步改进所述的超声波清洗漕结构，内槽体和外槽体为长方体。

可选择的，进一步改进所述的超声波清洗漕结构，扩散喷嘴均匀的形成内槽体的两侧内侧壁。

可选择的，进一步改进所述的超声波清洗漕结构，化学清洗液是氨水。

可选择的，进一步改进所述的超声波清洗漕结构，扩散喷嘴为10个，内槽体的每一层侧内侧壁上设有5个扩散喷嘴，各扩散喷嘴之间距离相等。

可选择的，进一步改进所述的超声波清洗漕结构，还包括：

扩散喷嘴控制阀，其设置于每个扩散喷嘴的进液管路上或所有扩散喷嘴的总进液管路上，其用于控制化学清洗液的流量和喷射时长。