[实用新型]DDR3存储器有效
申请号: | 202021835752.7 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN213183602U | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 颜军;占连样;颜志宇;龚永红;王烈洋;汤凡;陈像;蒲光明;陈伙立;骆征兵 | 申请(专利权)人: | 珠海欧比特宇航科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C5/02 | 分类号: | G11C5/02;G11B33/04 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 郑晨鸣 |
地址: | 519080 广东省珠*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ddr3 存储器 | ||
1.一种DDR3存储器,其特征在于,包括:
功能板,设有若干片DDR3芯片及若干个电阻,若干个所述DDR3芯片的数据组信号线、时钟信号线、地址信号线及控制信号线分别对应并联,若干所述DDR3芯片的地址信号线及控制信号线分别通过所述电阻与终端电压接口电性连接;
底板,设置于功能板下方,所述底板底面焊接有若干引脚;
若干引线桥,分别设置于所述功能板上及所述底板上,若干所述引线桥分别与所述DDR3芯片、所述电阻以及所述引脚对应电性连接;
灌封层,将所述底板及所述功能板灌封于内,所述引脚延伸出所述灌封层的表面。
2.根据权利要求1所述的DDR3存储器,其特征在于,所述功能板上还设有若干电容,若干所述电容的一端分别连接于所述电阻与所述终端电压接口之间的连接节点对应电性连接,另一端都与地信号线电性连接。
3.根据权利要求1或2所述的DDR3存储器,其特征在于,所述引脚为BGA引脚。
4.根据权利要求1或2所述的DDR3存储器,其特征在于,所述灌封层为树脂层。
5.根据权利要求1或2所述的DDR3存储器,其特征在于,所述引线桥的一端延伸出所述灌封层的表面,所述灌封层表面设置有金属镀层,所述金属镀层上设有若干刻线,所述刻线将所述金属镀层分割成多个互不连通的区域,所述引线桥通过所述金属镀层对应电性连接。
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