[实用新型]DDR3存储器有效
申请号: | 202021835752.7 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN213183602U | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 颜军;占连样;颜志宇;龚永红;王烈洋;汤凡;陈像;蒲光明;陈伙立;骆征兵 | 申请(专利权)人: | 珠海欧比特宇航科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C5/02 | 分类号: | G11C5/02;G11B33/04 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 郑晨鸣 |
地址: | 519080 广东省珠*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ddr3 存储器 | ||
本实用新型公开了一种DDR3存储器,包括:功能板、底板及灌封层。功能板上设有若干DDR3芯片及若干电阻,若干DDR3芯片的数据组信号线、时钟信号线、地址信号线及控制信号线分别对应并联,若干DDR3芯片的地址信号线及控制信号线分别通过若干电阻与终端电压电性连接。底板设置于功能板下方,底板底面焊接有若干引脚。若干引线桥分别设置于功能板上及底板上,与若干DDR3芯片、若干电阻以及若干引脚对应电性连接。灌封层将底板及功能板灌封于内,引脚延伸出灌封层的表面。根据上述技术方案的DDR3存储器,地址信号线及控制信号线内部上拉至终端电压,使用时无需在外部再设置电阻将地址信号线及控制信号线上拉,降低布线难度,节约设计时间。
技术领域
本实用新型涉及存储器领域,特别涉及一种DDR3存储器。
背景技术
DDR3存储器广泛应用于高速电子系统中作为运行存储器,DDR3存储器在使用过程中,其地址信号线及控制信号线需要通过电阻来上拉至终端电压,以保证写入的数据地址准确。随着DDR3的容量及位宽需求越来越大,需要通过电阻上拉至终端电压的信号越来越多,使用时布线困难。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出一种DDR3存储器,多个DDR3芯片的地址信号线及控制信号线在功能板上通过若干电阻上来至终端电压,使用时无需再单独增加电阻上拉信号,使用布线方便。
根据本实用新型的实施例的DDR3存储器,包括:功能板,设有若干片DDR3芯片及若干个电阻,若干个所述DDR3芯片的数据组信号线、时钟信号线、地址信号线及控制信号线分别对应并联,若干所述DDR3芯片的地址信号线及控制信号线分别通过所述电阻与终端电压接口电性连接;底板,设置于功能板下方,所述底板底面焊接有若干引脚;若干引线桥,分别设置于所述功能板上及所述底板上,若干所述引线桥分别与所述DDR3芯片、所述电阻以及所述引脚对应电性连接;灌封层,将所述底板及所述功能板灌封于内,所述引脚延伸出所述灌封层的表面。
根据本实用新型实施例的DDR3存储器,至少具有如下有益效果:DDR3芯片及电阻均设置在功能板上,若干DDR3芯片的地址信号线及控制信号线先对应并联,再分别通过若干电阻与终端电压接口连接,功能板和底板之间可以通过若干引线桥电性连接,将各信号从底板上的若干引脚引出。通过底板引脚引出的DDR3存储器的地址信号线及控制信号线已经内部通过电阻上拉至终端电压,无需再在存储器外布置电阻将信号上拉,降低使用布线难度,节约设计时间。
根据本实用新型的一些实施例,所述功能板上还设有若干电容,若干所述电容的一端分别连接于所述电阻与所述终端电压接口之间的连接节点对应电性连接,另一端都与地信号线电性连接。
根据本实用新型的一些实施例,所述引脚为BGA引脚。
根据本实用新型的一些实施例,所述灌封层为树脂层。
根据本实用新型的一些实施例,所述引线桥的一端延伸出所述灌封层的表面,所述灌封层表面设置有金属镀层,所述金属镀层上设有若干刻线,所述刻线将所述金属镀层分割成多个互不连通的区域,所述引线桥通过所述金属镀层对应电性连接。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本实用新型实施例的剖面示意图;
图2为本实用新型实施例的电路原理图;
图3为本实用新型实施例的金属镀层及刻线的示意图。
附图标记:
功能板100,DDR3芯片110、电阻120,电容130,
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