[实用新型]一种使芯片待机快速下电的低功耗电路有效

专利信息
申请号: 202021859346.4 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN212969439U 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 彭洪松;李洪斌;胡军;税国梅;卿春梅;吴凯 申请(专利权)人: 四川九州电子科技股份有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36;H02M1/32
代理公司: 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 代理人: 张秀敏
地址: 621000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 待机 快速 功耗 电路
【权利要求书】:

1.一种使芯片待机快速下电的低功耗电路,包括电源、电源开关控制电路、负载开关控制电路以及系统后级电路的等效电阻R5和等效电容C2,所述电源开关控制电路用于控制所述负载开关控制电路、等效电阻R5和等效电容C2与所述电源的接通或断开,负载开关控制电路包括负载电阻R2,负载电阻R2接地,其特征在于,所述负载电阻R2与接地之间连接三极管Q2的发射极,三极管Q2的集电极接地,三极管Q2的基极连接限流电阻R4的第一端,限流电阻R4的第二端以及所述电源开关控制电路的控制信号输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种使芯片待机快速下电的低功耗电路,其特征在于,所述限流电阻R4并联有加速电容C1。

3.根据权利要求1或2所述的一种使芯片待机快速下电的低功耗电路,其特征在于,所述电源开关控制电路包括控制信号输入端、电阻R3、三极管Q3、电阻R1和MOS管Q1,所述电阻R3的第一端与所述控制信号输入端连接,电阻R3的第二端连接所述三极管Q3的基极,三极管Q3的集电极分别连接所述电阻R1的第一端和所述MOS管Q1的栅极,电阻R1的第二端和MOS管Q1的源极连接所述电源,MOS管Q1的漏极连接分别与所述负载电阻R2、等效电阻R5和等效电容C2连接。

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