[实用新型]一种晶圆翘曲矫正机构有效
申请号: | 202021861094.9 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN212570941U | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 陶为银;巩铁建 | 申请(专利权)人: | 河南通用智能装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人: | 范小方 |
地址: | 450001 河南省郑州市高新技术产业*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆翘曲 矫正 机构 | ||
本实用新型公开了一种晶圆翘曲矫正机构,包括第一电机和输送装置,所述第一电机安装在箱体左端,且箱体右端安装有第二电机,同时箱体内安装有隔板,第一电机的输出轴通过联轴器与第一旋转轴连接,第一旋转轴的另一端活动连接在隔板上,同时第一铰接座底部焊接有第二压板,并且第二压板左右两端均通过导向块活动连接在导向杆上,第二压板正下方设置有第二下压板,电动伸缩杆设置在箱体左侧内壁上,晶圆体设置在第二下压板上;第二电机的输出轴通过联轴器与第二旋转轴连接,且第二旋转轴中部设置有第二传动板。该晶圆翘曲矫正机构,输送装置具有将矫正的晶圆体输送到第一下压板上进行冷却矫正的特点。
技术领域
本实用新型涉及晶圆翘曲矫正设备科技技术领域,具体为一种晶圆翘曲矫正机构。
背景技术
晶圆级封装(WLP)是一种先进的薄型小型化封装技术,它包含扇入(Fan-in)和扇出(Fan-out)两种封装形式,由于芯片的I/O焊盘间距远小于PCB或LTCC电路板上的焊盘间距,为了使芯片的I/O焊盘间距与PCB电路板上的焊盘相匹配,需要将芯片上的I/O焊盘重新分布成宽间距,若需要通过增加芯片封装面积才能将全部I/O焊盘进行合理的分布,则为扇出型的晶圆级封装,在扇出型的晶圆级封装过程中,切割后的裸芯片面朝下在晶圆上重新排列,重构成晶圆形状,每个裸芯片之间保留固定的间距,可以按照电路设计的需要放置无源器件,如电阻或电容等。
为了解决目前市场上所存在的缺点,从而提出一种晶圆翘曲矫正机构来解决上述提出的问题。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题在于克服背景技术中提到的缺陷,提供一种晶圆翘曲矫正机构。所述输送装置具有将矫正的晶圆体输送到第一下压板上进行冷却矫正的特点。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种晶圆翘曲矫正机构,包括第一电机和输送装置,所述第一电机安装在箱体左端,且箱体右端安装有第二电机,同时箱体内安装有隔板,第一电机的输出轴通过联轴器与第一旋转轴连接,第一旋转轴的另一端活动连接在隔板上,同时第一铰接座底部焊接有第二压板,并且第二压板左右两端均通过导向块活动连接在导向杆上,第二压板正下方设置有第二下压板,电动伸缩杆设置在箱体左侧内壁上,晶圆体设置在第二下压板上;
所述第二电机的输出轴通过联轴器与第二旋转轴连接,且第二旋转轴中部设置有第二传动板,第二铰接座底部焊接有第一压板,且第一压板左右两端均通过导向块活动连接在导向杆上,水管内部设置有冷凝器,且水管一端连接在水箱内部,同时水管设置在第一下压板顶部。
优选的,所述第二下压板底部设置有热熔丝,且热熔丝设置为两组。
优选的,所述第一旋转轴上设置有第一传动板,且第一传动板上安装有第一连接块,第一连接板一端活动连接在第一连接块上,第一连接板另一端与第一铰接座相铰接,同时第一铰接座下端焊接有第一升降块。
优选的,所述输送装置设置在第一下压板和第二下压板之间,且输送装置中上的输送带为倾斜设置,同时输送装置中上的输送带倾斜设置的角度为160°。
优选的,所述第二旋转轴中部设置有第二传动板,且第二传动板上设置有第二连接块,同时第二连接块与第二连接板一端活动连接,并且第二连接板另一端铰接在第二铰接座上,第二铰接座下端焊接有第二升降块。
优选的,所述第一压板和第二压板的尺寸相同,第一下压板和第二下压板尺寸相同,同时第一下压板和第二下压板尺寸小于第一压板和第二压板的尺寸。
优选的,所述水管呈“S”形分布在第一下压板内部顶端,且水管两端均连接在水箱内部。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1.在第二下压板内部顶端设置有两组热熔丝对第二下压板进行加热,从而使得晶圆体能够更快的受热且变形;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造