[实用新型]一种激光晶圆切割用晶圆片的可调式夹具装置有效

专利信息
申请号: 202021861106.8 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN212946120U 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 巩铁建;陶为银 申请(专利权)人: 河南通用智能装备有限公司
主分类号: B23K26/70 分类号: B23K26/70;B23K37/04;B23K26/38;B23K101/40
代理公司: 郑州中原专利事务所有限公司 41109 代理人: 范小方
地址: 450001 河南省郑州市高新技术产业*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光 切割 用晶圆片 调式 夹具 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种激光晶圆切割用晶圆片的可调式夹具装置,包括外壳体、X轴滑槽、内壳体、第二滑块和底座,外壳体底部设置有控制台,外壳体内部上方设置有镶嵌在外壳体中的X轴滑槽,外壳体内部左侧设置有镶嵌在外壳体中的Y轴滑槽,内壳体底部设置有底座,内壳体上方设置有耐磨垫,且内壳体内部设置有镶嵌在内壳体上的调整滑槽,调整滑槽左上方设置有第一滑块,第一滑块下方设置有第二滑块,第一滑块右侧设置有固定块,固定块下方设置有第三滑块,切割刀垂直于底座,且切割刀垂直于内壳体,内壳体内侧底部设置的软垫粘贴在底座上,内壳体底部,切割台固定在底座上,且软垫固定在切割台内部,第二滑块右侧固定的滑动柱右侧末端穿过限位孔。

技术领域

本实用新型涉及晶圆加工技术领域,具体为一种激光晶圆切割用晶圆片的可调式夹具装置。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅,硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆,目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主,晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1 片或多片晶圆,随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时,特征尺寸的减小,使得晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大,而随着洁净的提高,颗粒数也出现了新的数据特点,当前市面上存在的晶圆可调式夹具切割装置普遍存在无法适应型号不同的晶圆,切割装置使用寿命短,只能调整切割刀位置不能改变晶体位置而导致切割范围小等问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种激光晶圆切割用晶圆片的可调式夹具装置,以解决上述背景技术中提出的无法适应型号不同的晶圆,切割装置使用寿命短,只能调整切割刀位置不能改变晶体位置而导致切割范围小等问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种激光晶圆切割用晶圆片的可调式夹具装置,包括外壳体、X轴滑槽、内壳体、第二滑块和底座,所述外壳体底部设置有控制台,外壳体内部上方设置有镶嵌在外壳体中的X轴滑槽,外壳体内部左侧设置有镶嵌在外壳体中的Y轴滑槽,Y轴滑槽右侧设置有固定在Y轴滑槽上的Y轴液压棒,Y轴液压棒右侧末端连接有伸缩杆,X轴滑槽下方底部设置有X轴液压棒,X轴液压棒底部末端设置有伸缩杆,伸缩杆末端连接有X轴连板,且X轴连板两侧设置有穿过X轴连板固定在内壳体上的螺栓,Y轴连板两侧设置有穿过Y轴连板固定在内壳体上的螺栓,内壳体底部设置有底座,内壳体上方设置有耐磨垫,且内壳体内部设置有镶嵌在内壳体上的调整滑槽,调整滑槽左上方设置有第一滑块,第一滑块下方设置有第二滑块,第一滑块右侧设置有固定块,固定块下方设置有第三滑块,调整滑槽两侧设置有固定在调整滑槽上的滑动柱,第一滑块和第三滑块侧边设置有限位孔。

优选的,所述X轴滑槽镶嵌在外壳体内部,且X轴液压棒底部与X轴滑槽契合,Y轴滑槽镶嵌在外壳体内部,且Y轴液压棒底部与外壳体内部的Y轴滑槽契合。

优选的,所述底座顶部下方和右侧社会自由软垫,底座右侧设置有切割台,切割台左侧延伸块底部设置有切割刀,切割刀垂直于底座,且切割刀垂直于内壳体。

优选的,所述内壳体内侧底部设置的软垫粘贴在底座上,软垫为长方体,软垫高度小于内壳体,内壳体底部,切割台固定在底座上,且软垫固定在切割台内部。

优选的,所述第二滑块右侧固定的滑动柱右侧末端穿过限位孔,限位孔固定在第三滑块上,且第三滑块底部与调整滑槽契合。

优选的,所述底座上方右侧顶部连接有外壳体,外壳体底部左侧末端固定在底座上,控制台固定在外壳体上。

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