[实用新型]一种石英舟硅片及沉积用装置有效
申请号: | 202021863289.7 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN212848334U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 张临安;沈雯;邓伟伟 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 胡彭年 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石英 硅片 沉积 装置 | ||
1.一种石英舟,其特征在于,包括:
支撑件,沿横向方向间隔设置有一对;
底载物件,两端分别与相应的支撑件连接固定,所述底载物件上设置有若干沿横向方向间隔设置的卡齿、形成于相邻两卡齿之间的卡槽和向上突设于所述卡槽内的突伸结构,在横向方向上所述突伸结构中间高两边低。
2.根据权利要求1所述的石英舟,其特征在于:所述突伸结构的上表面呈弧形。
3.根据权利要求1所述的石英舟,其特征在于:所述突伸结构具有相交设置的第一导引面和第二导引面,且所述第一导引面的高度、所述第二导引面的高度均自相交位置向各自临近的卡齿的方向逐渐降低。
4.根据权利要求3所述的石英舟,其特征在于:所述突伸结构在横向方向上的截面呈三角形,且所述第一导引面和所述第二导引面为斜面并分别为三角形的两条边。
5.根据权利要求3所述的石英舟,其特征在于:所述第一导引面与所述第二导引面对称设置。
6.根据权利要求1所述的石英舟,其特征在于:所述石英舟还包括一对侧载物件,所述侧载物件与所述底载物件平行设置,且所述侧载物件的两端分别固定在相应的支撑件上;每一所述侧载物件上均设置有沿横向方向间隔设置的侧卡槽,所述侧卡槽与所述卡槽一一对应。
7.根据权利要求6所述的石英舟,其特征在于:一对所述侧载物件在水平面上平行设置,且所述侧载物件所在的水平面的高度高于所述底载物件所在水平面的高度。
8.根据权利要求6所述的石英舟,其特征在于:所述侧卡槽内也设置有所述突伸结构,且所述侧卡槽内的突伸结构与所述卡槽内的突伸结构一一对应。
9.根据权利要求1所述的石英舟,其特征在于:所述底载物件设置有两个,两个底载物件在水平面上平行设置。
10.一种硅片沉积用装置,其特征在于,包括:
炉管,所述炉管内限定出容纳腔;
承装座,所述承装座安装并设置在所述容纳腔内;以及
多个如权利要求1-9中任一项所述的用于装载硅片的石英舟,多个所述石英舟依次排列,所述石英舟安装于所述承装座的安装槽内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021863289.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造