[实用新型]一种石英舟硅片及沉积用装置有效
申请号: | 202021863289.7 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN212848334U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 张临安;沈雯;邓伟伟 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 胡彭年 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石英 硅片 沉积 装置 | ||
本实用新型公开了一种石英舟及硅片沉积用装置,其中石英舟包括支撑件和底载物件,其中支撑件沿横向方向间隔设置有一对。底载物件的两端分别与相应的支撑件连接固定,所述底载物件上设置有若干沿横向方向间隔设置的卡齿、形成于相邻两卡齿之间的卡槽和向上突设于所述卡槽内的突伸结构,在横向方向上所述突伸结构中间高两边低。本实用新型在石英舟的卡槽内设置突伸结构使原本贴合在一起的两个电池片在突伸结构的作用下分隔开从而方便实现在背面形成多晶硅层的时候在正面也形成多晶硅层以对电池的正面进行保护。该实施例的石英舟在保证电池片的产能的基础上能够更好的对电池片的正面形成保护,提高了电池片的品质和生产效率。
技术领域
本实用新型涉及光伏电池领域,特别是一种石英舟硅片及沉积用装置。
背景技术
钝化接触太阳能电池(Topcon)在背面采用掺杂的多晶硅或者非晶硅来实现背面钝化和选择性接触,降低背面复合,提高电池效率。Topcon电池的制备过程大多是先在正面扩散形成PN结,并制备正面PN结的掩膜层,再在背面制备隧穿氧化层和掺杂的多晶硅层。但在利用扩散工艺对背面的遂穿氧化层进行掺杂以形成多晶硅层时会使正面的掩膜层被破坏,使正面的掩膜层在后续的湿法工艺中达不到应有的保护效果,造成正面被腐蚀,从而产生大量的外观不良,并引起电池性能的降低。
所以,如何解决这种外观不良也成为了Topcon电池实现量产的一大难关。目前,一般采用提高正面掩膜层厚度或者保护性能的方法来避免正面掩膜层被完全破坏,但是这样无疑会增加正面PN结和掩膜层的制备工艺难度,使正面PN结和掩膜层的制备工艺更复杂难控,且会额外增加制备成本。因此,有人提出在背面钝化过程中在背面形成遂穿氧化层的时候在电池片正面的掩膜层上也形成一层遂穿氧化层,该层遂穿氧化层位于电池片的正面并对电池片的正面形成保护以避免在采用扩散工艺对电池片的背面的遂穿氧化层进行掺杂形成多晶硅层时对正面的掩膜层的破坏。
在Topcon电池背面钝化的过程中需要用到石英舟作为承载件以承载电池片,为了提高产能且为了避免在对电池片的背面制备多晶硅层的时候正面产生较多的绕镀从而影响后续的制程,现有技术中在对背面钝化时常将两个电池片的正面与正面相对贴合在一起并放置在同一个晶舟的卡槽内,但是采用上述方式并不能解决在采用扩散工艺进行掺杂形成多晶硅层时对电池片正面的损坏。鉴于上述方式形成的电池片在实际使用过程中容易造成对正面的损害腐蚀,因此现有技术的石英舟显然不能很好的满足实际的需求。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种石英舟,以解决现有技术中的不足,它能够在保证电池片的产能的基础上能够更好的对电池片的正面形成保护,提高了电池片的品质和生产效率。
本实用新型提供了一种石英舟,包括:
支撑件,沿横向方向间隔设置有一对;
底载物件,两端分别与相应的支撑件连接固定,所述底载物件上设置有若干沿横向方向间隔设置的卡齿、形成于相邻两卡齿之间的卡槽和向上突设于所述卡槽内的突伸结构,在横向方向上所述突伸结构中间高两边低。
进一步的,所述突伸结构的上表面呈弧形。
进一步的,所述突伸结构具有相交设置的第一导引面和第二导引面,且所述第一导引面的高度、所述第二导引面的高度均自相交位置向各自临近的卡齿的方向逐渐降低。
进一步的,所述突伸结构在横向方向上的截面呈三角形,且所述第一导引面和所述第二导引面为斜面并分别为三角形的两条边。
进一步的,所述第一导引面与所述第二导引面对称设置。
进一步的,所述石英舟还包括一对侧载物件,所述侧载物件与所述底载物件平行设置,且所述侧载物件的两端分别固定在相应的支撑件上;每一所述侧载物件上均设置有沿横向方向间隔设置的侧卡槽,所述侧卡槽与所述卡槽一一对应。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021863289.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造