[实用新型]可控硅整流多绕组变压器的绕组结构有效
| 申请号： | 202021863339.1 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN212625109U | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈恒云 | 申请（专利权）人： | 重庆祥龙电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28;H01F27/34;H01F27/29;H01F27/30 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 陈家辉 |
| 地址： | 402560 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可控硅 整流 绕组 变压器 结构 | ||
1.可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，包括铁芯和多个绕组，其特征在于：所述绕组包括在铁芯周向上按幅向结构依次排列的LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组。
2.根据权利要求1所述的可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，其特征在于：所述幅向结构为LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组按输出电压的从小至大依次排列。
3.根据权利要求2所述的可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，其特征在于：所述绕组还包括高压绕组，所述高压绕组位于LV6低压绕组和LV7低压绕组之间。
4.根据权利要求3所述的可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，其特征在于：所述高压绕组采用D连接。
5.根据权利要求3所述的可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，其特征在于：所述LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组和LV6低压绕组采用铜箔绕制，所述高压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组采用铜线层式绕制。
6.根据权利要求5所述的可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，其特征在于：所述LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组依次按y连接、D连接进行交替联接。
7.根据权利要求6所述的可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，其特征在于：所述LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组和LV4低压绕组的三相引出端排列成四行三列的第一阵列，所述第一阵列在组内的三相引出端间距均为310mm，所述第一阵列在相邻组间的三相引出端的中心间距为210mm，所述LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组的三相引出端排列成五行三列的第二阵列，所述第二阵列在组内的三相引出端间距为300mm，所述第二阵列在相邻组间的三相引出端的中心间距为150mm，所述第一阵列与第二阵列并排设置且间距为300mm。
8.根据权利要求7所述的可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，其特征在于：所述高压绕组的三相高压输入端位于第一阵列的正下方。
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