[实用新型]可控硅整流多绕组变压器的绕组结构

说明书

本实用新型涉及变压器设备领域，具体涉及可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，包括铁芯和多个绕组，绕组包括在铁芯周向上按幅向结构依次排列的LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组。本实用新型减小了铁芯的尺寸，在相同尺寸铁芯的条件下能够配合更多的绕组，并能够在后续整流时进行更多组合叠加得到多个直流电流。

技术领域

本实用新型涉及变压器设备领域，具体涉及可控硅整流多绕组变压器的绕组结构。

背景技术

目前，直流电机调速系统已经在实际生产生活中得到了广泛的应用，特别是将可控硅整流系统应用到电力系统中，能够有效的实现平滑的调速、调压功能。宽幅调压变压器是可控硅整流系统中重要的电压变换设备，将交流电压变为可组合的交流电压组，通过可控硅整流系统转化为直流电压进行叠加。

可控硅整流多绕组变压器首次应用在高校实验系统中，为了满足实验直流100-10000V要求，可控硅整流多绕组变压器既要满足各组阻抗压降小，又要考虑任意叠加时绕组间绝缘耐压水平，现有的可控硅整流多绕组变压器无法满足这个要求，所以急需一种能够实现克服上述问题实现在整流时多组合叠加的绕组结构。

实用新型内容

本实用新型意在提供一种可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，以提供便于在整流时进行多组合叠加的绕组结构。

本方案中的可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，包括铁芯和多个绕组，所述绕组包括在铁芯周向上按幅向结构依次排列的LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组。

本方案的有益效果是：

将九个低压绕组在铁芯周向上进行幅向结构的依次排列，与依次绕制在铁芯上的方式相比，减小了铁芯的尺寸，在相同尺寸铁芯的条件下能够配合更多的绕组，并能够在后续整流时进行更多组合叠加得到多个直流电流。

进一步，所述幅向结构为LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组按输出电压的从小至大依次排列。

有益效果是：多个绕组以从小至大依次排列，方便后续进行组合叠加时进行区分。

进一步，所述绕组还包括高压绕组，所述高压绕组位于LV6低压绕组和LV7低压绕组之间。

有益效果是：能够满足10kV高压绕组对LV1低压绕组-LV9低压绕组的漏磁最小，且保证阻抗电压均小于4％技术要求，各组阻抗偏差小于15％，且满足耐压要求。

进一步，所述高压绕组采用D连接。

有益效果是：便于消除三次谐波，让三次谐波与零序的三相方向相同。

进一步，所述LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组和LV6低压绕组采用铜箔绕制，所述高压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组采用铜线层式绕制。

有益效果是：保证每个绕组较大的容量。

进一步，所述LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组依次按y连接、D连接进行交替联接。

有益效果是：在消除三次谐波的同时能够增大绕组容量。