[实用新型]一种真空吸笔

说明书

本实用新型属于真空吸笔装置技术领域，具体涉及一种真空吸笔，包括笔杆和吸笔头；其中，所述吸笔头的两端分别设有吸附孔(1)。本实用新型提供的真空吸笔，具有两个吸附孔(1)，可吸附在晶圆片有效区之外，且吸附稳固，从而避免了现有技术的真空吸笔会对晶圆片的图形区域造成污染或损伤的缺陷，同时能够提高工作效率。

技术领域

本实用新型属于真空吸笔装置技术领域，具体涉及一种真空吸笔。

背景技术

硅片和各种半导体芯片通常体积很小并内含集成电路，通常常是计算机或其他光电微电子设备的一部分。在硅片和各种半导体芯片的加工过程中，通常要使用真空吸笔对硅片和芯片进行移动和转移。而现有的真空吸笔头只有一个吸附孔，且基本上在吸笔头的中间位置，因而在吸取硅片和芯片的时候，需在硅片和芯片的中间(图形区域)进行吸附才能平稳吸附，而这种吸附方式很容易导致在硅片和芯片的表面造成压伤和脏污，从而影响产品质量。

现有的真空吸笔如果是吸附硅片和芯片上无图形的一面，对硅片和芯片并无影响。但是当硅片和芯片上无图形的一面经过减薄抛光后，再进行吸附时则会在硅片和芯片上无图形的一面留下脏污或者损伤，将直接影响产品金属电极薄膜质量，还可能会有脱膜的风险。如果现有的真空吸笔是吸附硅片和芯片上有图形的一面，就会给该图形区域带来脏污，或者由于吸力的作用，对该图形区域表面造成损伤。

因此，如何设计一种真空吸笔，从而保证在吸附硅片和芯片上有图形的一面时也不会对图形区域造成污染或损伤，具有重大意义。

发明内容

针对现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种真空吸笔，能确保在吸附晶圆片(如硅片、芯片)上有图形的一面时也不会对图形区域造成损伤或者引入脏污。晶圆片经减薄抛光后的平均厚度为100微米左右，在取片的过程中，当晶圆片上有图形的一面朝上，则需要使用真空吸笔来吸附有图形的一面，不可避免地会导致图形区域受到污染或损伤。而本实用新型提供的真空吸笔，可吸附在晶圆片有效区之外(即晶圆片上有图形的区域的外面)，且吸附稳固，从而避免了现有技术的真空吸笔会对晶圆片的图形区域造成污染或损伤的缺陷，同时能够提高工作效率。

用于实现上述目的的技术方案如下：

在本实用新型的一个方面，提供一种真空吸笔，包括笔杆和吸笔头；其中，所述吸笔头的两端分别设有吸附孔。

在本实用新型的一些实施方式中，本实用新型所述的真空吸笔中，所述吸笔头的长度不小于晶圆片的直径。

在本实用新型的一些实施方式中，本实用新型所述的真空吸笔中，所述吸笔头的两端分别设有吸附孔，包括：所述吸附孔的位置位于晶圆片有效区之外。

在本实用新型的一些实施方式中，本实用新型所述的真空吸笔中，所述吸笔头的两端分别设有吸附孔，包括：两个所述吸附孔之间的距离大于晶圆片图形有效区的直径。

在本实用新型的一些实施方式中，本实用新型所述的真空吸笔中，两个所述吸附孔之间的距离为66～67mm。

在本实用新型的一些优选实施方式中，本实用新型所述的真空吸笔中，两个所述吸附孔之间的距离为66.78mm。

在本实用新型的一些实施方式中，本实用新型所述的真空吸笔中，所述吸笔头的两端分别设有吸附孔，包括：两个所述吸附孔之间的距离可稍大于晶圆片图形有效区的直径。

在本实用新型的一些实施方式中，本实用新型所述的真空吸笔中，所述吸笔头的长度为88～89mm。

在本实用新型的一些实施方式中，本实用新型所述的真空吸笔中，所述吸笔头的长度为88.78mm。

本实用新型所述的一个或多个技术实施方案，至少具有如下技术效果或优点：