[实用新型]一种等离子增强化学气相沉积装置

说明书

本实用新型公开了一种等离子增强化学气相沉积装置，包括机架，所述机架顶部设置有反应室，所述反应室顶部密封设置有封盖，所述封盖顶部设置有气体分配装置，所述机架侧面上设置有特气箱，所述特气箱通过气管与气体分配装置连接。本实用新型结构合理、简单，操作便捷，通过将硅晶片输送经反应室内，通过真空装置使得反应室内部呈现真空的状态，气体分配装置将特气箱中输送过来的各种化学气体进行处理并输入至反应室内对硅晶片的表面进行化学处理，从而大大的提高了化学处理的效率。

技术领域

本实用新型涉及硅晶片表面化学处理技术领域，具体涉及一种等离子增强化学气相沉积装置。

背景技术

硅晶片又称晶圆片，是由硅锭加工而成的，通过专门的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管，这些晶体管比人的头发要细小上百倍。半导体通过控制电流来管理数据，形成各种文字、数字、声音、图象和色彩。这些应用有些是日常应用，如计算机、电信和电视，还有的应用于先进的微波传送、激光转换系统、医疗诊断和治疗设备、防御系统和NASA航天飞机。

在使用硅晶片时，通常需要在硅晶片的表面进行化学处理，经过化学处理后的硅晶片才能够进行刻蚀，否则无法进行工作。因此对硅晶片表面进行化学处理成为了重要的步骤之一，如何对硅晶片表面进行化学处理成为了重要的工艺步骤。

上述问题是本领域亟需解决的问题。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种等离子增强化学气相沉积装置，从而能够自动化地对硅晶片的表面进行化学处理，大大提高化学处理的效率。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供的方案是：一种等离子增强化学气相沉积装置，包括机架，所述机架顶部设置有反应室，所述反应室顶部密封设置有封盖，所述封盖顶部设置有气体分配装置，所述机架侧面上设置有特气箱，所述特气箱通过气管与气体分配装置连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述反应室包括反应容腔，所述反应容腔一侧开有进料口，所述反应容腔四周面上开有数个观察窗，所述反应容腔内部底面设置有下电极板，所述下电极板上设置有浮动杆，所述下电极板上开有加热槽，所述加热槽内设置有加热丝，所述反应容腔底部密封设置有驱动下电极板升降的升降装置。

作为本实用新型的进一步改进，所述升降装置包括设置在反应容腔底部的安装架，所述安装架内部铺设有平行的轨道，所述轨道上设置有滑台，所述滑台设置有连接下电极板的升降轴，所述滑台上底部连接有丝杆，所述丝杆连接有电机，所述安装架一侧设置有开口，所述滑台一侧设置有伸出开口的感应片，所述安装架开口处设置有数个传感器。

作为本实用新型的进一步改进，所述封盖底面设置有气体扩散板，所述气体扩散板上开有扩散孔，所述扩散孔包括进气孔和出气孔，所述进气孔底部开有通气孔，所述进气孔和出气孔通过所述通气孔进行连通，所述进气孔的直径大于所述出气孔的直径，所述进气孔的长度小于所述出气孔的长度。

作为本实用新型的进一步改进，所述进料口处设置有门阀，所述门阀包括设置在进料口处的箱体，所述箱体两侧面上对称开有槽口，所述一侧面的槽口处设置有闸门，所述箱体内部位于闸门上方设置有转轴，所述转轴通过连接件与所述闸门连接，所述箱体一端设置有气缸，所述气缸输出端连接有转臂，所述转臂与所述转轴连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述机架一侧设置有真空装置，所述真空装置通过真空管与所述反应室连通，所述真空管通过支撑架进行支撑。

作为本实用新型的进一步改进，所述气体分配装置包括与气管连接的RPS远程等离子源，所述RPS远程等离子源连接有气体输出模组，所述气体输出模组与所述封盖连通，所述气体输出模组另一侧连接有RF匹配器。

作为本实用新型的进一步改进，所述封盖内部蛇形设置有散热管。

本实用新型的有益效果：