[实用新型]一种具有掩埋导电介质沟道区分裂栅结构的半导体功率器件有效
| 申请号： | 202021870175.5 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN212659542U | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈译;陈彬 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人： | 苏娟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 掩埋 导电 介质 沟道 区分 结构 半导体 功率 器件 | ||
1.一种具有掩埋导电介质沟道区分裂栅结构的半导体功率器件，其特征在于，包括：半导体衬底（1），P型阱区（2），N型阱区（3），N型轻掺杂区（4），P型轻掺杂区（5），N型重掺杂半导体源/漏区（6），P型重掺杂半导体源/漏区（7），在NMOS栅结构下表面的掩埋导电介质（8），在PMOS栅结构下表面的掩埋导电介质（9），栅结构绝缘区（10），在栅结构两边的控制栅（12）和分裂栅（13），N型/P型重掺杂半导体源/漏区上表面的源/漏极，控制栅上表面的栅极，分裂栅上表面的栅极，在PMOS和NMOS之间的STI隔离区（11）。
2.根据权利要求1所述的具有掩埋导电介质沟道区分裂栅结构的半导体功率器件，其特征在于，半导体衬底上表面形成P型阱区和N型阱区，该P型阱区和N型阱区之间采用STI隔离区，该STI隔离区为浅沟槽隔离区和采用硅氧化物。
3.根据权利要求2所述的具有掩埋导电介质沟道区分裂栅结构的半导体功率器件，其特征在于，P型阱上设有左右对称的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上设有N型重掺杂半导体源/漏区，N型阱上设有左右对称的P型轻掺杂区，P型轻掺杂区上设有P型重掺杂半导体源/漏区。
4.根据权利要求1所述的具有掩埋导电介质沟道区分裂栅结构的半导体功率器件，其特征在于，在P型阱区和N型阱区的上表面设置栅结构区，该栅结构区两端分别设有控制栅区和分裂栅区，该控制栅和分裂栅采用多晶硅材料，栅结构中的绝缘介质采用高K绝缘材料。
5.根据权利要求1所述的具有掩埋导电介质沟道区分裂栅结构的半导体功率器件，其特征在于，在NMOS栅结构下表面设有掩埋导电介质沟道区，该掩埋导电介质材料采用N型重掺杂或者导电材料，在PMOS栅结构的下表面设有掩埋导电介质沟道区，该掩埋导电介质材料采用P型重掺杂或者导电材料。
6.根据权利要求1所述的具有掩埋导电介质沟道区分裂栅结构的半导体功率器件，其特征在于，N型重掺杂半导体源/漏区和P型重掺杂半导体源/ 漏区的上表面设有源/漏极，控制栅和分裂栅的上表面设有栅极。
7.根据权利要求1所述的具有掩埋导电介质沟道区分裂栅结构的半导体功率器件，其特征在于，半导体衬底材料为半导体SiC基或者GaN基材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
