[实用新型]一种带有弹性密封件的真空罩液冷结构有效
申请号: | 202021871521.1 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN213388886U | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 王俊锋;袁明;谢文荣;秦兴耀;王锋 | 申请(专利权)人: | 广东鼎泰机器人科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/27;C23C16/54 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人: | 袁敏怡 |
地址: | 523000 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 弹性 密封件 真空 罩液冷 结构 | ||
本实用新型涉及涂层设备技术领域,尤其是指一种带有弹性密封件的真空罩液冷结构,其包括真空罩、液冷载台组件和弹性密封件,液冷载台组件包括液冷载台、出液空心支撑管和旋转驱动件,弹性密封件为弹性环状体,液冷载台内部设有液冷空腔,液冷空腔转动安装有旋转导液盘,旋转驱动件的输出端与旋转导液盘连接,液冷空腔导入冷却液,旋转导液盘用于搅动液冷空腔内部的冷却液。本实用新型能够有效、快速地对液冷载台实现降温,使得液冷载台能够长期处于高温环境下工作,避免液冷载台烧损,还能够加强液冷载台组件与真空罩安装的密封性,刀具表面的薄膜沉积效果好。
技术领域
本实用新型涉及涂层设备技术领域,尤其是指一种带有弹性密封件的真空罩液冷结构。
背景技术
热丝CVD(Hot Filament CVD,简称HFCVD)方法具有成本低、设备简单、工艺稳定、适用于复杂形状及大面积沉积的优点,是最适用于金刚石薄膜涂层刀具产业化生产的方法,目前国内外HFCVD金刚石薄膜涂层复杂形状钻头和铣刀正在产业化过程中;在采用HFCVD方法对钻头或铣刀的刀刃部分进行金刚石薄膜沉积时,沉积区域(刀刃区域,基体)的表面温度数值、温度场及反应基团密度场分布均匀性对薄膜质量及均匀性有着很大的影响。用于沉积HFCVD金刚石薄膜的适宜的基体温度区间约为500-1000℃,最适宜区间约为700-900℃。
传统的涂层设备的上料装置通常处于真空高温状态下,为了防止上料装置被烧损,通常会对其进行水冷,但是现有技术中的涂层设备上料装置冷却结构设计不合理,至少存在以下问题:
1、上料装置的冷却效果差,容易被烧损,使用寿命短,达不到生产的标准;
2、真空罩与上料装置装配,密封性不足,上料装置动作时真空罩会出现漏气的情况,影响刀具表面的薄膜沉积效果,良品率低。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种带有弹性密封件的真空罩液冷结构,能够有效、快速地对液冷载台实现降温,使得液冷载台能够长期处于高温环境下工作,避免液冷载台烧损,还能够加强液冷载台组件与真空罩安装的密封性,刀具表面的薄膜沉积效果好。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
一种带有弹性密封件的真空罩液冷结构,其包括真空罩、弹性密封件以及滑动安装于真空罩内部的液冷载台组件,液冷载台组件包括液冷载台、出液空心支撑管和旋转驱动件,出液空心支撑管的上端突伸至真空罩内部并与液冷载台固定连接,出液空心支撑管的下端与旋转驱动件固定连接,出液空心支撑管滑动设置于真空罩底壁,弹性密封件为弹性环状体,弹性密封件套设于出液空心支撑管的外侧,弹性密封件的一端与真空罩底壁密封连接,弹性密封件的另一端与旋转驱动件密封连接;液冷载台上移时,弹性密封件处于压缩状态;液冷载台下移时,弹性密封件处于扩张状态;液冷载台内部设有液冷空腔,出液空心支撑管与液冷空腔连通,液冷空腔内转动安装有旋转导液盘,旋转驱动件的输出端与旋转导液盘连接,液冷空腔导入冷却液,旋转导液盘用于搅动液冷空腔内部的冷却液。
进一步地,所述旋转导液盘包括导液平板以及设置于导液平板的多个页片,多个页片沿导液平板的中心轴线呈环形阵列,导液平板转动安装于液冷空腔内,多个页片用于搅动液冷空腔内部的冷却液,导液平板设有导液中心孔和装配凸环体,装配凸环体与导液中心孔共轴设置。
进一步地,所述真空罩液冷结构还包括进液空心管,进液空心管设置于出液空心支撑管内部,进液空心管的下端与旋转驱动件的输出端连接,进液空心管的上端突伸至液冷空腔内并与装配凸环体卡接,进液空心管与导液中心孔连通,旋转驱动件用于驱使进液空心管和旋转导液盘转动。
进一步地,所述旋转驱动件设有入液腔和出液腔,入液腔与进液空心管连通,出液腔与出液空心支撑管连通,冷却液依次流经入液腔、进液空心管、导液中心孔、液冷空腔、出液空心支撑管和出液腔。
进一步地,所述出液空心支撑管与液冷载台之间设有密封圈。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的