[实用新型]半导体处理设备有效
申请号: | 202021875445.1 | 申请日: | 2020-09-01 |
公开(公告)号: | CN212365921U | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 闫宝杰;王玉明;陈晖;曾俞衡;廖明墩;叶继春;程海良;柯贤洋 | 申请(专利权)人: | 苏州拓升智能装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C14/22;C23C16/44 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 215100 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 处理 设备 | ||
1.一种半导体处理设备,其特征在于,包括:
至少一个第一电极片;
至少一个第二电极片,所述第二电极片与所述第一电极片交替设置,且与所述第一电极片之间保持间距;
第一固定部,用于固定所述第一电极片,且与所述第二电极片保持间距;
第二固定部,用于固定所述第二电极片,且与所述第一电极片之间保持间距,所述第一固定部与所述第二固定部之间的相对位置固定。
2.根据权利要求1所述的半导体处理设备,其特征在于,所述第一固定部包括至少一个第一卡槽,从所述第一电极片本体向外延伸出的第一延伸部嵌入所述第一卡槽内。
3.根据权利要求1所述的半导体处理设备,其特征在于,所述第一固定部包括:
至少一个第一隔离件,所述第一隔离件设置在两个所述第一电极片之间,以将两个所述第一电极片间隔开;
第一紧固件,用于固定所述第一隔离件和所述第一电极片。
4.根据权利要求3所述的半导体处理设备,其特征在于,所述第一电极片包括第一电极片本体和从所述第一电极片本体向外延伸出的第一延伸部,所述第一隔离件设置在两个所述第一电极片的所述第一延伸部之间。
5.根据权利要求4所述的半导体处理设备,其特征在于,至少一个所述第一隔离件包括至少一个第一卡槽,从所述第一电极片本体向外延伸出的第一延伸部嵌入所述第一卡槽内。
6.根据权利要求3所述的半导体处理设备,其特征在于,所述第二电极片上设置有第二通孔,所述第二通孔的横截面积大于所述第一隔离件的横截面积,相邻两个所述第一电极片之间的所述第一隔离件穿过相邻两个所述第一电极片之间的所述第二电极片的所述第二通孔,所述第一隔离件与所述第二通孔的孔壁保持间距。
7.根据权利要求3所述的半导体处理设备,其特征在于,所述第一紧固件为螺栓,所述第一紧固件穿过设置在所述第一电极片和所述第一隔离件上的通孔,以固定所述第一电极片和所述第一隔离件。
8.根据权利要求1所述的半导体处理设备,其特征在于,所述第二固定部包括至少一个第二卡槽,从所述第二电极片本体向外延伸出的第二延伸部嵌入所述第二卡槽内。
9.根据权利要求1所述的半导体处理设备,其特征在于,所述第二固定部包括:
至少一个第二隔离件,每个所述第二隔离件设置在相邻两个所述第二电极片之间,以将相邻两个所述第二电极片间隔开;
第二紧固件,用于固定所述第二隔离件和所述第二电极片。
10.根据权利要求9所述的半导体处理设备,其特征在于,所述第二电极片包括第二电极片本体和从所述第二电极片本体向外延伸出的第二延伸部,所述第二隔离件设置在相邻两个所述第二电极片的所述第二延伸部之间。
11.根据权利要求10所述的半导体处理设备,其特征在于,至少一个所述第二隔离件包括至少一个第二卡槽,从所述第二电极片本体向外延伸出的第二延伸部嵌入所述第二卡槽内。
12.根据权利要求9所述的半导体处理设备,其特征在于,所述第一电极片上设置有第一通孔,所述第一通孔的横截面积大于所述第二隔离件的横截面积,相邻两个所述第二电极片之间的所述第二隔离件穿过相邻两个所述第二电极片之间的所述第一电极片的所述第一通孔,所述第二隔离件与所述第一通孔的孔壁保持间距。
13.根据权利要求9所述的半导体处理设备,其特征在于,所述第二紧固件为螺栓,所述第二紧固件穿过设置在所述第二电极片和所述第二隔离件上的通孔,以固定所述第二电极片和所述第二隔离件。
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