[实用新型]半导体处理设备有效
申请号: | 202021875445.1 | 申请日: | 2020-09-01 |
公开(公告)号: | CN212365921U | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 闫宝杰;王玉明;陈晖;曾俞衡;廖明墩;叶继春;程海良;柯贤洋 | 申请(专利权)人: | 苏州拓升智能装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C14/22;C23C16/44 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 215100 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 处理 设备 | ||
本实用新型实施例提供了一种半导体处理设备,包括:至少一个第一电极片;至少一个第二电极片,所述第二电极片与所述第一电极片交替设置,且与所述第一电极片之间保持间距;第一固定部,用于固定所述第一电极片,且与所述第二电极片保持间距;第二固定部,用于固定所述第二电极片,且与所述第一电极片之间保持间距,所述第一固定部与所述第二固定部之间的相对位置固定。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种半导体处理设备。
背景技术
如图1所示,用于诸如气相沉积、等离子体蚀刻等的半导体处理设备包括分别与交流电源的两极电连接的第一电极片1和第二电极片2,第一电极片和第二电极片上分别承载待处理基板4,当半导体处理设备工作时,第一电极片1和第二电极片2之间产生电磁场,使得处理气体在待处理基板4表面沉积或是对待处理基板4暴露出的区域进行蚀刻。第一电极片1与第二电极片2之间设置有若干隔离套管4,以使得第一电极片1与第二电极片2绝缘。
然而,在半导体处理设备工作过程中,处理气体会不断在隔离套管3表面沉积,在半导体处理设备工作一段时间之后,会在隔离套管3表面形成一层薄膜5,若薄膜5为导体或半导体薄膜,随着薄膜5厚度的增加,会使得第一电极片1和第二电极片2之间的阻抗降低,甚至发生短路,从而使得半导体处理设备工作不稳定,特别是在高温环境下,半导体的电导率会迅速增大,这样会加剧半导体处理设备的不稳定性,甚至无法正常工作。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种半导体处理设备,以解决现有的半导体处理设备的电极片之间的阻抗随着使用时间增加而降低,使得半导体处理设备工作不稳定,甚至无法正常工作的问题
本实用新型实施例提供了一种半导体处理设备,包括:至少一个第一电极片;至少一个第二电极片,所述第二电极片与所述第一电极片交替设置,且与所述第一电极片之间保持间距;第一固定部,用于固定所述第一电极片,且与所述第二电极片保持间距;第二固定部,用于固定所述第二电极片,且与所述第一电极片之间保持间距,所述第一固定部与所述第二固定部之间的相对位置固定。
可选地,所述第一固定部包括至少一个第一卡槽,从所述第一电极片本体向外延伸出的第一延伸部嵌入所述第一卡槽内。
可选地,所述第一固定部包括:至少一个第一隔离件,所述第一隔离件设置在两个所述第一电极片之间,以将两个所述第一电极片间隔开;第一紧固件,用于固定所述第一隔离件和所述第一电极片。
可选地,所述第一电极片包括第一电极片本体和从所述第一电极片本体向外延伸出的第一延伸部,所述第一隔离件设置在两个所述第一电极片的所述第一延伸部之间。
可选地,至少一个所述第一隔离件包括至少一个第一卡槽,从所述第一电极片本体向外延伸出的第一延伸部嵌入所述第一卡槽内。
可选地,所述第二电极片上设置有第二通孔,所述第二通孔的横截面积大于所述第一隔离件的横截面积,相邻两个所述第一电极片之间的所述第一隔离件穿过相邻两个所述第一电极片之间的所述第二电极片的所述第二通孔,所述第一隔离件与所述第二通孔的孔壁保持间距。
可选地,所述第一紧固件为螺栓,所述第一紧固件穿过设置在所述第一电极片和所述第一隔离件上的通孔,以固定所述第一电极片和所述第一隔离件。
可选地,所述第二固定部包括至少一个第二卡槽,从所述第二电极片本体向外延伸出的第二延伸部嵌入所述第二卡槽内。
可选地,所述第二固定部包括:至少一个第二隔离件,每个所述第二隔离件设置在相邻两个所述第二电极片之间,以将相邻两个所述第二电极片间隔开;第二紧固件,用于固定所述第二隔离件和所述第二电极片。
可选地,所述第二电极片包括第二电极片本体和从所述第二电极片本体向外延伸出的第二延伸部,所述第二隔离件设置在相邻两个所述第二电极片的所述第二延伸部之间。
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