[实用新型]高硬度低摩擦系数的保护镀膜

说明书

本实用新型提供一种高硬度低摩擦系数保护镀膜，其结构包括：一界面层、一缓冲层、一高硬度的覆层。本实用新型之高硬度低摩擦系数的保护镀膜具有良好抗摩耗性、低摩擦系数，是以能够被应用在光电及半导体产业的黄光曝光制程的光罩传送盒中，例如：深紫外(DUV)曝光制程、极紫外(EUV)曝光制程、沉浸式曝光制程、多重曝光制程，该保护镀膜用于保护上述任一种黄光曝光应用之光罩传送盒并确保黄光制程之良率。

技术领域

本实用新型是关于光电及半导体例如IC制造、液晶显示面板、发光二极管、微机电、太阳能板、电子纸等产业需要保持高洁净度之制程，特别是黄光制程之技术领域，尤指应用于各式任一种光电及半导体产业黄光曝光制程的光罩传送盒的一种高硬度低摩擦系数保护镀膜及该保护镀膜于提升黄光曝光制程之良率的用途。

背景技术

光电及半导体产业的微影制程利用光罩投影于光阻上进行曝光显影，被光线照射到的区域会产生化学反应并改变键结，这些受光照射之光阻能被去除或者保留而达到电路图案化的效果，之后借着蚀刻制程来将电路微缩成非常小的图案。

为了降低成本，各大半导体代工及光电厂皆致力提升组件密集度。组件密集度取决于MOSFET(金氧半导体场效晶体管)汲极(Drain)源极(Source) 间之间距(简称线宽)，随着线宽微缩即可增加组件之密集度。然而线宽之微缩意味着光罩上图案之线宽势必随之微缩，因此在光罩本体的洁净度便越来越重要，光罩上的任何一点污染物，都会使图案转移产生误差，甚至造成光阻去除不佳进而影响后续制程导致重工甚至晶圆报废(Scrap)。

为了提升黄光曝光制程之良率，习知技术通常会在光罩传送盒100表面覆上一层金属镀膜阻绝层(请参阅图1，图1所绘示为习知的一种光罩传送盒 100的立体分解图)，使其洁净度免于受到空气微尘污染。但在光罩线宽设计逐渐缩小，且线与线之间的距离逐渐缩短之下，任何颗粒的产生都可能造成曝光的误差。传统光罩传送盒为金属所制，于硬度及耐摩耗性上表现较差，且金属易与空气产生反应形成原生氧化层，这层氧化层因结构松散而容易受外力碰撞而脱落，进而形成颗粒造成光罩污染。

由上述说明可知，如何在光罩传送盒上设计出更高规格的之高硬度低摩擦系数保护镀膜于是成为业界之主要课题。实际上。如能增加基材表面之抗摩耗性及降低摩擦系数，应可进一步减少微尘之产生量与吸附量。另外此类保护性镀膜通常具有较高之片电阻值，借由厚度与结构之调整可将电阻控制于静电消散区，可进一步减少微尘附着辆。有鉴于此，本案之实用新型人是极力加以研究实用新型，而研发完成本实用新型之一种高硬度低摩擦系数保护镀膜于光罩传送盒以确保黄光曝光制程之良率之用途。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于任一种光电及半导体产业黄光曝光制程的光罩传送盒上提供一种高硬度低摩擦系数保护镀膜，其具有良好抗刮以及低摩擦系数，是以能够被应用在任一种黄光曝光制程之中，例如：深紫外(DUV) 曝光制程、极紫外(EUV)、沉浸式曝光制程、多重曝光制程，用于提升上述任一种黄光曝光制程之良率。

为了达成上述本实用新型的主要目的，本案申请人是提供所述高硬度低摩擦系数保护镀膜之一实施例，其用以镀覆于一基材之上，且包括：

一缓冲层，形成于该基材10之上，且由铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铜 (Cu)、镍(Ni)、钴(Co)或上述任意金属以任意比例混和之合金所制成；

一覆层，形成于该缓冲层之上；此覆层层数至少为一且由金属氧化物 (MxOy)、金属氮化物(MxNy)、金属碳化物(MxCy)及类钻膜(DLC)任一材料所构成，其中M为金属元素，且其可为下列任一者:镍(Ni)、铜(Cu)、铼(Re)、钨(W)、钴(Co)、铁(Fe)、钼(Mo)、锡(Sn)、铝(Al)、锆(Zr)或上述两种以上之金属之组合。

本实用新型又包含一接口层，形成于该基材与该缓冲层间，且由MxNy所制成；其中，M为金属元素，且其可为下列任一者：镍(Ni)、铜(Cu)、铼(Re)、钨(W)、钴(Co)、铁(Fe)、钼(Mo)、锡(Sn)、或上述任意两种以上之金属元之组合；