[实用新型]一种高精度硅片承载盘有效
| 申请号： | 202021894197.5 | 申请日： | 2020-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN213042890U | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 高晗;杨宗明;张帆;王小东 | 申请（专利权）人： | 李馥湘 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/68 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗伟富 |
| 地址： | 510000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 硅片 承载 | ||
1.一种高精度硅片承载盘，其特征在于，包括主体板，所述主体板的顶面上设有用于存放硅片的存放槽；其中，所述存放槽的各侧壁上均设有若干个向存放槽一侧凸起设置的导向定位柱，且该导向定位柱的作用面从下往上逐渐向外倾斜设置。
2.根据权利要求1所述的高精度硅片承载盘，其特征在于，所述导向定位柱向上凸起设置。
3.根据权利要求1所述的高精度硅片承载盘，其特征在于，所述存放槽的侧壁从下往上倾斜设置。
4.根据权利要求1所述的高精度硅片承载盘，其特征在于，所述主体板上还设有挖空槽，该挖空槽设置在存放槽中，且挖空槽比存放槽的面积小。
5.根据权利要求4所述的高精度硅片承载盘，其特征在于，所述挖空槽的拐角处设有倒角，且在倒角处设有直角通气孔；其中，所述直角通气孔包括水平段和竖直段，所述水平段的出口设置在挖空槽的倒角侧壁上，所述竖直段的出口设置在主体板的底部。
6.根据权利要求1所述的高精度硅片承载盘，其特征在于，所述主体板的存放槽的各侧壁上均设有多个导向定位柱，且相对的侧壁上的导向定位柱一一对应设置。
7.根据权利要求6所述的高精度硅片承载盘，其特征在于，所述主体板的存放槽的各侧壁上均设有两个导向定位柱。
8.根据权利要求1所述的高精度硅片承载盘，其特征在于，所述存放槽的四个角落处均设有向外设置的圆形槽，该圆形槽与存放槽连通。
9.根据权利要求1所述的高精度硅片承载盘，其特征在于，所述主体板的底部设有多组限位柱，该多组限位柱的外轮廓与承载框上的承载槽的内轮廓对应设置。
10.根据权利要求1所述的高精度硅片承载盘，其特征在于，所述主体板的底部设有多条加强杆，所述多条加强杆纵横交错设置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
