[实用新型]一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置

权利要求书

1.一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，包括蚀刻槽(1)，其特征在于：所述蚀刻槽(1)的顶部固定安装有供气装置(2)，所述供气装置(2)包括供气箱(21)、气泵(22)、供气管(23)、传输管(24)、第一分流管(25)、第二分流管(26)、喷气嘴(27)，所述供气箱(21)固定安装在蚀刻槽(1)的顶部，所述供气箱(21)的顶部固定连接有供气管(23)，所述供气管(23)的一侧端部固定连接有气泵(22)，所述气泵(22)固定设在蚀刻槽(1)的一侧外壁，所述供气管(23)的另一侧贯穿通过供气箱(21)的顶部并且端部固定连接有传输管(24)，所述传输管(24)一侧端部固定连接有第一分流管(25)、另一侧端部固定连接有第二分流管(26)，所述第一分流管(25)和第二分流管(26)弧形面上均均匀设有若干喷气嘴(27)；

所述蚀刻槽(1)的两侧内壁外凸设有滚动组件(4)，所述滚动组件(4)转动连接有动力机构(3)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，其特征在于：所述动力机构(3)包括转轴(31)、电机(32)、链轮(33)、链条(34)、轴承(35)，所述电机(32)固定安装在蚀刻槽(1)的一侧外壁，所述电机(32)靠近蚀刻槽(1)外壁的一端转动安装有转轴(31)，所述转轴(31)沿长度方向贯穿通过蚀刻槽(1)的两侧壁并且与蚀刻槽(1)侧壁连接处同轴转动安装有两个轴承(35)，所述两个轴承(35)之间同轴固定安装有链轮(33)，所述链轮(33)转动连接有链条(34)，所述链条(34)形成环形并且内部转动连接有滚动组件(4)。

3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，其特征在于：所述滚动组件(4)包括密封轴承(41)、滚轮(42)、从动轴(43)、滚动槽(44)，所述滚动槽(44)外凸设在蚀刻槽(1)和供气箱(21)的两侧内壁，所述滚动槽(44)内转动安装有滚轮(42)，所述滚轮(42)一侧端部同轴固定安装有从动轴(43)并且延长度方向延伸入蚀刻槽(1)和供气箱(21)的侧壁内，所述从动轴(43)与蚀刻槽(1)和供气箱(21)的侧壁连接处同轴转动安装有密封轴承(41)，所述从动轴(43)通过从动链轮转动连接链条(34)。

4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，其特征在于：所述滚动组件(4)共设有的滚轮(42)共设有六个并且轴心相连形成的直线与水平面成30度夹角。

5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，其特征在于：所述第一分流管(25)上的喷气嘴(27)的喷气方向朝下并且与水平面成50度夹角，所述第二分流管(26)上的喷气嘴(27)喷气方向朝上并且与水平面成40度夹角。

6.根据权利要求1所述的一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，其特征在于：所述第一分流管(25)位于供气箱(21)的顶部并且靠近动力机构(3)的一侧，所述第二分流管(26)位于蚀刻槽(1)远离动力机构(3)的顶部内壁处。