[实用新型]一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置有效
申请号: | 202021917734.3 | 申请日: | 2020-09-05 |
公开(公告)号: | CN212542374U | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 邹宏伟 | 申请(专利权)人: | 邹宏伟 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 511400 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 制造 蚀刻 高压 气体 供气 装置 | ||
本实用新型公开了一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置,包括蚀刻槽,蚀刻槽的顶部固定安装有供气装置,供气装置包括供气箱、气泵、供气管、传输管、第一分流管、第二分流管、喷气嘴,供气箱固定安装在蚀刻槽的顶部,供气箱的顶部固定连接有供气管,供气管的一侧端部固定连接有气泵,气泵固定设在蚀刻槽的一侧外壁,供气管的另一侧贯穿通过供气箱的顶部并且端部固定连接有传输管,传输管一侧端部固定连接有第一分流管、另一侧端部固定连接有第二分流管,第一分流管和第二分流管弧形面上均均匀设有若干喷气嘴;蚀刻槽的两侧内壁外凸设有滚动组件,滚动组件转动连接有动力机构。
技术领域
本实用新型涉及机械设备技术领域,具体为一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置。
背景技术
蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版,也广泛地被使用于减轻重量仪器镶板,铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工;经过不断改良和工艺设备发展,亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工,特别在半导体制程上,蚀刻更是不可或缺的技术。但是一般在进行蚀刻加工时,半导体板在反应液中反应后,如果不及时清理反应液,会发生过渡蚀刻的现象,严重的会提高次品率,反应液只要与半导体接触就会发生反应,所以普通的风干效率较慢,使用高压气体风干速率快,清理残余的反应液更加彻底,但是现有的蚀刻槽没有相应的高压气体装置,为此我们提出一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置用于解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置,包括蚀刻槽,所述蚀刻槽的顶部固定安装有供气装置,所述供气装置包括供气箱、气泵、供气管、传输管、第一分流管、第二分流管、喷气嘴,所述供气箱固定安装在蚀刻槽的顶部,所述供气箱的顶部固定连接有供气管,所述供气管的一侧端部固定连接有气泵,所述气泵固定设在蚀刻槽的一侧外壁,所述供气管的另一侧贯穿通过供气箱的顶部并且端部固定连接有传输管,所述传输管一侧端部固定连接有第一分流管、另一侧端部固定连接有第二分流管,所述第一分流管和第二分流管弧形面上均均匀设有若干喷气嘴;
所述蚀刻槽的两侧内壁外凸设有滚动组件,所述滚动组件转动连接有动力机构。
优选的,所述动力机构包括转轴、电机、链轮、链条、轴承,所述电机固定安装在蚀刻槽的一侧外壁,所述电机靠近蚀刻槽外壁的一端转动安装有转轴,所述转轴沿长度方向贯穿通过蚀刻槽的两侧壁并且与蚀刻槽侧壁连接处同轴转动安装有两个轴承,所述两个轴承之间同轴固定安装有链轮,所述链轮转动连接有链条,所述链条形成环形并且内部转动连接有滚动组件。
优选的,所述滚动组件包括密封轴承、滚轮、从动轴、滚动槽,所述滚动槽外凸设在蚀刻槽和供气箱的两侧内壁,所述滚动槽内转动安装有滚轮,所述滚轮一侧端部同轴固定安装有从动轴并且延长度方向延伸入蚀刻槽和供气箱的侧壁内,所述从动轴与蚀刻槽和供气箱的侧壁连接处同轴转动安装有密封轴承,所述从动轴通过从动链轮转动连接链条。
优选的,所述滚动组件共设有的滚轮共设有六个并且轴心相连形成的直线与水平面成30度夹角。
优选的,所述第一分流管上的喷气嘴的喷气方向朝下并且与水平面成50 度夹角,所述第二分流管上的喷气嘴喷气方向朝上并且与水平面成40度夹角。
优选的,所述第一分流管位于供气箱的顶部并且靠近动力机构的一侧,所述第二分流管位于蚀刻槽远离动力机构的顶部内壁处。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:通过动力机构的联动使半导体芯片从蚀刻槽内被带入到供气装置内,供气箱内的喷嘴喷出高压气体使半导体芯片的两面均被高压气体吹干,使风干的效率更高,残余的反应液和腐蚀附着的材料清理的更加彻底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造