[实用新型]低温传感器器件

说明书

本实用新型揭示了一种低温传感器器件，包括基底以及覆盖设置在所述基底上方的器件上盖，所述基底与所述器件上盖限定一收容空间，所述收容空间内置有一耐低温芯片，所述耐低温芯片通过耐低温胶水层固定于所述基底上，所述基底与所述器件上盖通过耐低温胶水层相固定，所述基底的上表面上镀制有金属膜，所述金属膜的部分置于所述收容空间内，并通过一金丝与所述耐低温芯片导通，另一部分置于所述收容空间外延伸至裸露台上，与两根镀金铜线分别导通。本实用新型技术方案提高了低温传感器器件的可靠性，器件性能稳定，低应力，也降低了封装的难度，封装全程无需在高温条件下作业，减少了测温传感器因高温带来的氧化问题，对芯片损伤小。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其是一种低温传感器器件。

背景技术

低温，是指温度范围在0.05K到100K之间，该温度范围中的最低温度接近绝对零度温度，正常封装结构和材料在这样极低的温度状态下会产生失效，致使传感器无法正常工作。常规的高可靠性封装采用陶瓷底壳和陶瓷上盖之间采用金锡焊接的封装方法，这是目前是工业上最坚固、最通用、最好的传感器封装方式。但是需要传感器本身需要耐高温。因为这种封装方法的正常焊接温度达到320°C，对于有些不耐高温传感器芯片来说，这无疑是非常致命的问题，高温下传感器芯片本身会产生大的变形和氧化，从而严重影响了传感器芯片本身的测温性能。

实用新型内容

本实用新型的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种低温传感器器件。

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：

一种低温传感器器件，包括基底以及覆盖设置在所述基底上方的器件上盖，所述基底与所述器件上盖限定一收容空间，所述收容空间内置有一耐低温芯片，所述耐低温芯片固定于所述基底的上表面，所述器件上盖的宽度等于所述基底的宽度，所述器件上盖的长度小于所述基底的长度以致于所述基底的至少部分上表面露出所述器件上盖之外形成裸露台，所述耐低温芯片通过耐低温胶水层固定于所述基底上，所述基底与所述器件上盖通过耐低温胶水层相固定，所述基底的上表面上镀制有金属膜，所述金属膜的部分置于所述收容空间内，并通过一金丝与所述耐低温芯片导通，另一部分置于所述收容空间外延伸至所述裸露台上，与两根镀金铜线分别导通。

优选的，所述基底为蓝宝石基底。

优选的，所述器件上盖为氧化铝陶瓷上盖。

优选的，所述耐低温胶水层的厚度为5-10μm。

优选的，所述收容空间为圆柱体形状，所述耐低温芯片位于中心。

优选的，所述金属膜与所述镀金铜线的连接点采用锡膏焊接。

优选的，所述金属膜的厚度为20μm±2μm。

优选的，所述金丝的直径为20-25μm。

优选的，所述镀金铜线的直径为150-200μm。

优选的，所述器件上盖的上表面、所述基底的下表面均镀设有金属散热层，厚度均为15-20μm。

本实用新型技术方案的优点主要体现在：通过氧化铝陶瓷上盖和蓝宝石基底之间采用耐低温胶水粘合的方式连接成一个密封的陶瓷结构，提高了低温传感器器件的可靠性，器件性能稳定，低应力，也降低了封装的难度，封装全程无需在高温条件下作业，减少了测温传感器因高温带来的氧化问题，对芯片损伤小；是一种简单高效、可在接近绝对零度下稳定可靠工作的封装方法。

附图说明

图1是本实用新型的低温传感器器件的主视图；

图2是本实用新型的低温传感器器件的俯视图。

具体实施方式