[实用新型]一种碳化硅级半导体烧结后冷却装置有效

专利信息
申请号: 202021940774.X 申请日: 2020-09-08
公开(公告)号: CN212783387U 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 赵俊男;徐文汇 申请(专利权)人: 济南鲁晶半导体有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 赵玉凤
地址: 250101 山东省济南市市辖区*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 半导体 烧结 冷却 装置
【权利要求书】:

1.一种碳化硅级半导体烧结后冷却装置,其特征在于:包括制冷系统、冷风传输系统和传动系统,冷风传输系统包括铜管、铜管布置箱体和轴流风机,传动系统包括电机、主动传送轮、从动传动轮、传送皮带,传送皮带连接在主动传送轮和从动传送轮之间,主动传送轮与电机输出轴相连;铜管布置箱体位于传送皮带上方,轴流风机设置在铜管布置箱体朝向传送皮带的一面,铜管两端与制冷系统相连,铜管主体设置于铜管布置箱体内。

2.根据权利要求1所述的碳化硅级半导体烧结后冷却装置,其特征在于:所述铜管均匀的盘在铜管布置箱内,形成螺旋状,轴流风机位于铜管布置箱下方。

3.根据权利要求1所述的碳化硅级半导体烧结后冷却装置,其特征在于:铜管布置箱体下方开孔加装导水管。

4.根据权利要求1所述的碳化硅级半导体烧结后冷却装置,其特征在于:传动系统位于主体支架上方。

5.根据权利要求1所述的碳化硅级半导体烧结后冷却装置,其特征在于:制冷系统后方设有风力散热组。

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