[实用新型]一种碳化硅级半导体烧结后冷却装置有效
申请号: | 202021940774.X | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN212783387U | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 赵俊男;徐文汇 | 申请(专利权)人: | 济南鲁晶半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 赵玉凤 |
地址: | 250101 山东省济南市市辖区*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 半导体 烧结 冷却 装置 | ||
本实用新型公开一种碳化硅级半导体烧结后冷却装置,包括制冷系统、冷风传输系统和传动系统,冷风传输系统包括铜管、铜管布置箱体和轴流风机,传动系统包括电机、主动传送轮、从动传动轮、传送皮带,传送皮带连接在主动传送轮和从动传送轮之间,主动传送轮与电机输出轴相连;铜管布置箱体位于传送皮带上方,轴流风机设置在铜管布置箱体朝向传送皮带的一面,铜管两端与制冷系统相连,铜管主体设置于铜管布置箱体内。本实用新型代替现有自然冷却风干方式,用于烧结后碳化硅二、三极管的快速冷却,提高产能,减少自然冷却的时间。
技术领域
本实用新型涉及碳化硅级半导体烧结后冷却装置,用于碳化硅二、三极管烧结后冷却装置,属于二、三极管烧结设备技术领域。
背景技术
在半导体元器件封装过程中,新型碳化硅材料需要在烧结后快速冷却进行下一步工序,碳化硅级芯片不同于常规芯片,稳定性及耐高温和低温的程度要远远强于普通芯片,碳化硅级芯片可在高温加热后速冷,不会对芯片产生影响。常规半导体元件芯片在烧结后需要自然冷却3-5小时,如果仍然采用这种方式对碳化硅级芯片冷却,会造成时间浪费。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种碳化硅级半导体烧结后冷却装置,代替现有自然冷却风干方式,用于烧结后碳化硅二、三极管的快速冷却,提高产能,减少自然冷却的时间。
为了解决所述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种碳化硅级半导体烧结后冷却装置,包括制冷系统、冷风传输系统和传动系统,冷风传输系统包括铜管、铜管布置箱体和轴流风机,传动系统包括电机、主动传送轮、从动传动轮、传送皮带,传送皮带连接在主动传送轮和从动传送轮之间,主动传送轮与电机输出轴相连;铜管布置箱体位于传送皮带上方,轴流风机设置在铜管布置箱体朝向传送皮带的一面,铜管两端与制冷系统相连,铜管主体设置于铜管布置箱体内。
进一步的,所述铜管均匀的盘在铜管布置箱内,形成螺旋状,轴流风机位于铜管布置箱下方。
进一步的,铜管布置箱体下方开孔加装导水管。
进一步的,传动系统位于主体支架上方。
进一步的,制冷系统后方设有风力散热组。
本实用新型的有益效果:本实用新型在碳化硅级二、三极管烧结后冷却时减少大部分时间,提高产能,为具有特殊需求的应用提高了解决方案。
附图说明
图1为实施例1的结构示意图;
图中:1、链条式隧道炉出口,2、从动传动轮,3、传送皮带,4、铜管,5、铜管布置箱体,6、制冷系统,7、风力散热组,8、轴流风机,9、主体支架,10、主动传送轮,11、电机。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。
实施例1
本实施例公开一种碳化硅级半导体烧结后冷却装置,如图1所示,包括制冷系统6、冷风传输系统和传动系统,冷风传输系统包括铜管4、铜管布置箱体5和轴流风机8,传动系统包括电机11、主动传送轮10、从动传动轮2、传送皮带3,传送皮带3连接在主动传送轮10和从动传送轮2之间,主动传送轮10与电机11输出轴相连。铜管布置箱体5位于传送皮带3上方,轴流风机8设置在铜管布置箱体5朝向传送皮带3的一面,即轴流风机8位于铜管布置箱体5的下方,形成向下的风力,铜管4两端与制冷系统6相连,铜管4主体设置于铜管布置箱体5内。
本实施例中,所述铜管4均匀的盘在铜管布置箱5内,形成螺旋状,轴流风机8位于铜管布置箱5下方。
本实施例中,铜管布置箱体5下方开孔加装导水管,将铜管4产生的废水流出。
本实施例中,传动系统位于主体支架9上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造