[实用新型]显示基板和显示装置有效
申请号: | 202021974847.7 | 申请日: | 2020-09-10 |
公开(公告)号: | CN213042915U | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 张波;初志文;王蓉;张振华 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏;解婷婷 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
本公开提供了一种显示基板和显示装置。显示基板包括显示区域和位于所述显示区域周边的边缘区域;所述边缘区域包括设置在基底上的复合绝缘层、设置在所述复合绝缘层上的电源线以及设置在所述电源线上的隔离坝,所述隔离坝中设置有辅助电源线,位于所述隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线和位于所述隔离坝远离所述显示区域一侧的辅助电源线均搭接在所述电源线上。本公开通过在边缘区域形成电源线和辅助电源线,实现了并联结构的双层电源走线,减小了边缘区域电源走线的电阻,最大限度地减小了电压信号的压降,提高了显示区域显示亮度均一性,提高了显示品质。
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示基板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
随着屏幕尺寸不断增大和显示亮度不断提高,现有OLED存在显示亮度均一性差的问题。
实用新型内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开所要解决的技术问题是,提供一种显示基板和显示装置,以解决现有OLED存在显示亮度均一性差的问题。
本公开提供了一种显示基板,包括显示区域和位于所述显示区域周边的边缘区域;所述边缘区域包括设置在基底上的复合绝缘层、设置在所述复合绝缘层上的电源线以及设置在所述电源线上的隔离坝,所述隔离坝中设置有辅助电源线,位于所述隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线和位于所述隔离坝远离所述显示区域一侧的辅助电源线均搭接在所述电源线上。
在示例性实施方式中,所述隔离坝包括第一隔离坝和第二隔离坝,所述第二隔离坝设置在所述电源线上,所述第一隔离坝设置在所述第二隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线上,所述第二隔离坝中设置有所述辅助电源线,位于所述第二隔离坝邻近所述显示区域一侧的辅助电源线和位于所述第二隔离坝远离所述显示区域一侧的辅助电源线均搭接在所述电源线上。
在示例性实施方式中,所述边缘区域还包括第二连接电极,所述第一隔离坝中设置有所述第二连接电极,位于所述第一隔离坝邻近所述显示区域一侧的第二连接电极和位于所述第一隔离坝远离所述显示区域一侧的第二连接电极均搭接在所述辅助电源线上。
在示例性实施方式中,所述第二隔离坝还包括第一坝基、第三坝基和第五坝基;所述第一坝基设置在所述电源线上,所述第一坝基包括远离所述电源线一侧的第一表面、邻近所述显示区域一侧的第一近侧面以及远离所述显示区域一侧的第一远侧面;所述辅助电源线全部覆盖所述第一坝基的第一表面、第一近侧面和第一远侧面;所述第三坝基设置在覆盖所述第一表面的辅助电源线上,所述第五坝基设置在所述第三坝基上。
在示例性实施方式中,所述第二隔离坝还包括第一坝基、第三坝基和第五坝基;所述第一坝基设置在所述电源线上,所述第一坝基包括远离所述电源线一侧的第一表面、邻近所述显示区域一侧的第一近侧面以及远离所述显示区域一侧的第一远侧面;所述辅助电源线全部覆盖所述第一坝基的第一近侧面和第一远侧面,部分覆盖所述第一坝基的第一表面,所述第三坝基设置在部分覆盖所述第一表面的辅助电源线上,所述第五坝基设置在所述第三坝基上;或者,所述辅助电源线全部覆盖所述第一坝基的第一近侧面和第一远侧面,所述第三坝基设置在所述第一坝基的第一表面上,所述第五坝基设置在所述第三坝基上。
在示例性实施方式中,所述第二隔离坝中的辅助电源线上设置有第一放气结构,所述第一放气结构在基底上的正投影位于所述第一表面在基底上的正投影范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的