[实用新型]软启动电路、软启动低压差线性稳压器有效

专利信息
申请号: 202021996580.1 申请日: 2020-09-11
公开(公告)号: CN213185874U 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 武世明 申请(专利权)人: 湖南国科微电子股份有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36;H02M1/32
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 钟扬飞
地址: 410000 湖南省长沙市*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 启动 电路 低压 线性 稳压器
【权利要求书】:

1.一种软启动电路,其特征在于,所述软启动电路应用于软启动低压差线性稳压器;所述软启动电路包括:

第一PMOS管,所述第一PMOS管的源极用于连接电源,所述第一PMOS管的栅极用于连接所述低压差线性稳压器;

第一NMOS管,所述第一NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极接地;所述第一NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的栅极连接;

阻性器件,所述阻性器件的第一端用于连接电源;

第二NMOS管,所述第二NMOS管的漏极连接所述阻性器件的第二端,所述第二NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极,所述第二NMOS管的源极接地;

第二PMOS管,所述第二PMOS管的源极用于连接电源,所述第二PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的栅极;

第三NMOS管,所述第三NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极,所述第三NMOS管的栅极连接所述阻性器件的第二端,所述第三NMOS管的源极接地;

容性器件,所述容性器件并联于第三NMOS管的漏极和源极两端;

第三PMOS管,所述第三PMOS管的源极用于连接电源,所述第三PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极,所述第三PMOS管的漏极用于连接低压差线性稳压器。

2.根据权利要求1所述的软启动电路,其特征在于,所述阻性器件包括:电阻、偏置电路或MOS管。

3.根据权利要求1所述的软启动电路,其特征在于,所述容性器件包括:电容或MOS管。

4.一种软启动低压差线性稳压器,其特征在于,所述软启动低压差线性稳压器包括:

权利要求1-3任意一项所述的软启动电路;

低压差线性稳压器,包括:误差放大器、第四PMOS管、第一电阻、第二电阻和第一电容;其中,所述第四PMOS管的源极用于连接电源,所述第四PMOS管的栅极连接所述误差放大器的输出端,所述第四PMOS管的漏极连接第一电阻的第一端,所述第二电阻的第一端连接第一电阻的第一端,所述第二电阻的第二端接地,所述第一电阻的第二端连接所述误差放大器的同相输入端,所述误差放大器的反相输入端用于连接基准源,所述第一电容的第一端连接所述第一电阻的第一端,所述第一电容的第二端连接所述第二电阻的第二端;

其中,所述软启动电路的第三PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的栅极,所述软启动电路的第一PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极。

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