[实用新型]软启动电路、软启动低压差线性稳压器有效
申请号: | 202021996580.1 | 申请日: | 2020-09-11 |
公开(公告)号: | CN213185874U | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 武世明 | 申请(专利权)人: | 湖南国科微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36;H02M1/32 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 钟扬飞 |
地址: | 410000 湖南省长沙市*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 启动 电路 低压 线性 稳压器 | ||
1.一种软启动电路,其特征在于,所述软启动电路应用于软启动低压差线性稳压器;所述软启动电路包括:
第一PMOS管,所述第一PMOS管的源极用于连接电源,所述第一PMOS管的栅极用于连接所述低压差线性稳压器;
第一NMOS管,所述第一NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极接地;所述第一NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的栅极连接;
阻性器件,所述阻性器件的第一端用于连接电源;
第二NMOS管,所述第二NMOS管的漏极连接所述阻性器件的第二端,所述第二NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极,所述第二NMOS管的源极接地;
第二PMOS管,所述第二PMOS管的源极用于连接电源,所述第二PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的栅极;
第三NMOS管,所述第三NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极,所述第三NMOS管的栅极连接所述阻性器件的第二端,所述第三NMOS管的源极接地;
容性器件,所述容性器件并联于第三NMOS管的漏极和源极两端;
第三PMOS管,所述第三PMOS管的源极用于连接电源,所述第三PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极,所述第三PMOS管的漏极用于连接低压差线性稳压器。
2.根据权利要求1所述的软启动电路,其特征在于,所述阻性器件包括:电阻、偏置电路或MOS管。
3.根据权利要求1所述的软启动电路,其特征在于,所述容性器件包括:电容或MOS管。
4.一种软启动低压差线性稳压器,其特征在于,所述软启动低压差线性稳压器包括:
权利要求1-3任意一项所述的软启动电路;
低压差线性稳压器,包括:误差放大器、第四PMOS管、第一电阻、第二电阻和第一电容;其中,所述第四PMOS管的源极用于连接电源,所述第四PMOS管的栅极连接所述误差放大器的输出端,所述第四PMOS管的漏极连接第一电阻的第一端,所述第二电阻的第一端连接第一电阻的第一端,所述第二电阻的第二端接地,所述第一电阻的第二端连接所述误差放大器的同相输入端,所述误差放大器的反相输入端用于连接基准源,所述第一电容的第一端连接所述第一电阻的第一端,所述第一电容的第二端连接所述第二电阻的第二端;
其中,所述软启动电路的第三PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的栅极,所述软启动电路的第一PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极。
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H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置