[实用新型]软启动电路、软启动低压差线性稳压器

说明书

本申请提供一种软启动电路和软启动低压差线性稳压器，其中软启动电路包括：第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、阻性器件、第三NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和容性器件。第一NMOS管的漏极连接第一PMOS管的漏极，第一NMOS管的漏极与其栅极相连接；第二NMOS管的漏极连接阻性器件，第二NMOS管的栅极连接第一NMOS管的栅极，第二PMOS管的漏极连接第二PMOS管的栅极；第三NMOS管的漏极连接第二PMOS管的漏极，第三NMOS管的栅极连接阻性器件；容性器件并联于第三NMOS管的漏极和源极两端；第三PMOS管的栅极连接第二PMOS管的栅极。该电路相较常规方法功耗更低，面积更小，适用于低压器件工艺下的高压输入。

技术领域

本申请涉及电路技术领域，特别涉及一种软启动电路、软启动低压差线性稳压器。

背景技术

在电源设计和应用领域中，软启动电路是解决电源上电阶段输出发生过冲和电流浪涌问题的重要方法和必要手段。随着半导体工艺技术发展，器件尺寸不断减小，其器件相应的适配工作电压也越来越低，这使得在电路设计中，原有的一些高电压应用中的电路架构，在低压器件工艺下实现时已不再适用。

图1所示为一种典型的电压适配型常规器件实现的软启动电路。电路通常由比较器Comp、控制开关S0、控制开关S1、恒流通路及容性器件Cs组成。上电初始阶段，控制开关S1选通，Vsoft接误差放大器EA的反相端，Vsoft由恒流通路向容性器件Cs充电得到，此时Vsoft由0电位缓慢上升。整个过程中，通过负反馈环路引导LDO(low dropout regulator，低压差线性稳压器)输出电压平缓增大，直至Vsoft电压大于vcom电压，控制开关S1断开，S0接通，软启动完成，从而避免LDO在上电初始阶段，功率管PM完全打开，导致LDO输出产生过冲或者浪涌。

该常规实现方式电路较为复杂，比较器的使用均需消耗功耗并且增加面积，同时，电路架构实现所用器件耐压需要与电源电压适配，在低压器件工艺下，由于Vsoft电压最终会达到电源电压，这会导致采用低压器件实现的误差放大器和比较器的输入端存在过压的风险，因此该电路架构无法适用。

实用新型内容

本申请实施例提供一种软启动电路，其电路结构相较常规方法更为简单高效，功耗更低，面积更小，并且适用于低压器件工艺下的高压输入，适用性更广。

本申请提供了一种软启动电路，所述软启动电路应用于低压差线性稳压器；所述软启动电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极用于连接电源，所述第一PMOS管的栅极用于连接所述低压差线性稳压器；第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接地；所述第一NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的栅极连接；阻性器件，所述阻性器件的第一端用于连接电源；第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极连接所述阻性器件的第二端，所述第二NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极，所述第二NMOS管的源极接地；第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极用于连接电源，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的栅极；第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第三NMOS管的栅极连接所述阻性器件的第二端，所述第三NMOS管的源极接地；

容性器件，所述容性器件并联于第三NMOS管的漏极和源极两端；

第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极用于连接电源，所述第三PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的漏极用于连接所述低压差线性稳压器。

在一实施例中，在上电初始阶段，所述第二NMOS管的栅极电压为低电压，所述第二NMOS管处于关断状态。

在一实施例中，当第二NMOS管处于关断状态时，所述第三NMOS管的栅极电压为高电压，第三NMOS管导通。

在一实施例中，所述第三NMOS管导通时，所述第二PMOS管导通，所述第二PMOS管的栅极电压低于电源电压。