[实用新型]一种热处理装置有效
申请号: | 202022001964.1 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN213147405U | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 马兰 | 申请(专利权)人: | 量伙半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | F27B17/00 | 分类号: | F27B17/00;F27D1/00;F27D9/00;F27D11/02;F27D19/00;H01L21/324 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 刘亭 |
地址: | 201302 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 热处理 装置 | ||
本实用新型公开了一种热处理装置,包括加热腔室、开合装置、加热装置、固定装置和导热板,加热腔室包括上腔室和下腔室,加热装置位于上腔室,上腔室的一侧和下腔室的一侧转动连接;开合装置位于上腔室的外壁;导热板位于上腔室和下腔室之间,导热板的侧壁设有凸出部;上腔室的侧壁设有至少一组固定孔,加热装置设置于固定孔中,加热装置的末端从固定孔中伸出,并延伸至固定装置的外部;固定装置连接于加热腔室的外壁,用于将加热装置固定在固定孔内。本实用新型的有益效果在于:通过设置开合装置,从而实现热处理装置的开合,便于对导热板进行维护;另外,设置带有凸出部的导热板,可以安全和便捷地取出和放置导热板。
技术领域
本实用新型涉及加热设备领域,更具体地,涉及一种热处理装置。
背景技术
在半导体制造过程中,热处理是必要的。例如,快速热处理(RTP,rapidthermalprocessing)是半导体制造中的一道工艺,可以用于离子注入后的杂质快速激活、快速热氧化等。快速热处理升温速度非常快保温时间很短,一般升温速率能达到10~100摄氏度每秒。通常采用红外卤素灯或者电阻棒加热,加热时电流很大,功率很大。快速热处理能大量节省热处理时间和降低生产成本,是热处理上的一次革新。
常用的热处理装置有立式炉、卧式炉等。现有的一些热处理装置为了防止加热照射时扬起颗粒,进而污染晶圆,将热处理装置内分为两个腔室,晶圆和加热装置分别位于不同的腔室,两个腔室之间通过石英板分隔开。但是在实际使用中,石英板需要经常取出维护,但是石英板比较脆,操作不当容易导致石英板出现破裂,现有技术中,热处理装置不能方便打开,而且难以安全和便捷地取出石英板进行维护。
实用新型内容
本实用新型的目的是提出一种热处理装置,可以解决热处理装置不能方便打开,难以安全和便捷地取出导热板进行维护的问题。
为实现上述目的,本实用新型提出了一种热处理装置,包括:加热腔室、开合装置、加热装置、固定装置和导热板,
所述加热腔室包括上腔室和下腔室,所述加热装置位于所述上腔室,所述上腔室的一侧和所述下腔室的一侧转动连接;
所述开合装置位于所述上腔室的外壁;
所述导热板位于所述上腔室和所述下腔室之间,所述导热板的侧壁设有凸出部;
所述上腔室的侧壁设有至少一组固定孔,所述加热装置设置于所述固定孔中,所述加热装置的末端从所述固定孔中伸出,并延伸至所述固定装置的外部;
所述固定装置连接于所述加热腔室的外壁,用于将所述加热装置固定在所述固定孔内。
作为优选方案,所述凸出部的倒角为钝角,所述下腔室的侧壁设有开口容纳所述凸出部。
作为优选方案,所述导热板为石英板,以密封方式分隔所述上腔室和所述下腔室。
作为优选方案,所述下腔室设有载台,用于承载热处理对象。
作为优选方案,还包括风冷组件,所述风冷组件连接于所述上腔室的外壁,所述风冷组件设有进气口和多个出气孔,所述出气孔轴线与所述固定孔轴线平行。
作为优选方案,还包括压力平衡管,所述压力平衡管连通并贯穿所述上腔室的侧壁和所述下腔室的侧壁。
作为优选方案,所述上腔室为立方体,所述固定孔为直孔,每组所述直孔之间相互平行,所述直孔贯穿所述上腔室的两个相对侧壁,或只贯穿所述上腔室的一个侧壁。
作为优选方案,所述上腔室设有多组所述固定孔,所述多组固定孔设置为单层或多层。
作为优选方案,多组所述固定孔设置为上下两层,下层设有多组所述固定孔,上层设有多组所述固定孔,上层所述多组固定孔在垂直方向上分别设置于下层所述固定孔的两端。
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