[实用新型]负压保护电路有效
| 申请号： | 202022020493.9 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN213661578U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 姜建华 | 申请（专利权）人： | 河北新华北集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H03F3/20 |
| 代理公司： | 河北国维致远知识产权代理有限公司 13137 | 代理人： | 赵宝琴 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护 电路 | ||
1.一种负压保护电路，其特征在于，包括：数字集成单元、第一晶体管以及第二晶体管；
所述数字集成单元的输入端连接电源负电压，所述数字集成单元的输出端连接所述第一晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的集电极连接所述第二晶体管的栅极，所述第二晶体管的漏极连接电源正电压，所述第二晶体管的源极为电压输出端。
2.如权利要求1所述的负压保护电路，其特征在于，所述数字集成单元包括：稳压二极管Dz和非门电路；
所述稳压二极管Dz的阴极连接电源负电压，所述稳压二极管Dz的阳极连接所述非门电路的输入端，所述非门电路的模拟信号地端接地，所述非门电路的模拟信号电源端连接预设电压的电源，所述非门电路的输出端连接所述第一晶体管的基极。
3.如权利要求2所述的负压保护电路，其特征在于，所述数字集成单元还包括：电阻R1和电阻R2；
所述电阻R1的一端和所述电阻R2的一端连接在所述稳压二极管Dz和所述非门电路的输入端之间，所述电阻R1的另一端接地，所述电阻R2的另一端连接所述预设电压的电源。
4.如权利要求2所述的负压保护电路，其特征在于，所述数字集成单元还包括：电容C1；
所述电容C1的正极端连接在所述非门电路的模拟信号电源端与所述预设电压的电源之间，所述电容C1的负极端接地。
5.如权利要求1-4中任一项所述的负压保护电路，其特征在于，所述负压保护电路还包括：电阻R3；
所述电阻R3的一端连接所述数字集成单元的输出端，所述电阻R3的另一端连接所述第一晶体管的基极。
6.如权利要求1-4中任一项所述的负压保护电路，其特征在于，所述负压保护电路还包括：电阻R4；
所述电阻R4的一端连接所述第一晶体管的集电极，所述电阻R4的另一端连接所述第二晶体管的栅极。
7.如权利要求1-4中任一项所述的负压保护电路，其特征在于，所述负压保护电路还包括：电容C2；
所述电容C2的正极端连接在所述第二晶体管的漏极与所述电源正电压之间，所述电容C2的负极端接地。
8.如权利要求6所述的负压保护电路，其特征在于，所述负压保护电路还包括：电容C3；
所述电容C3的正极端连接在所述电阻R4的一端与所述电压输出端之间，所述电容C3的负极端接地。
9.如权利要求1-4中任一项所述的负压保护电路，其特征在于，所述第一晶体管为NPN型晶体管。
10.如权利要求1-4中任一项所述的负压保护电路，其特征在于，所述第二晶体管为场效应管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北新华北集成电路有限公司，未经河北新华北集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022020493.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便于调节的喷码机喷头结构
- 下一篇：一种茶籽油生产用压榨装置
