[实用新型]负压保护电路

说明书

本实用新型适用于微波射频器件的应用技术领域，提供了一种负压保护电路。该负压保护电路包括：数字集成单元、第一晶体管以及第二晶体管；数字集成单元的输入端连接电源负电压，数字集成单元的输出端连接第一晶体管的基极，第一晶体管的发射极接地，第一晶体管的集电极连接第二晶体管的栅极，第二晶体管的漏极连接电源正电压，第二晶体管的源极为电压输出端，从而可以通过数字集成单元将输入的电源负电压转换为高电平输入第一晶体管，第一晶体管导通，输出正电给第二晶体管，第二晶体管导通，输出正电压供给功率放大器，从而实现对功率放大器的负压保护，且电路简单，元器件数量较少，使得电路工作可靠性较高。

技术领域

本实用新型属于微波射频器件的应用技术领域，尤其涉及一种负压保护电路。

背景技术

随着移动通信技术的发展，微波射频技术的应用也越来越广泛。硬件工程上所需的模块经常需要功率放大，而功率放大器要求上电时，先加栅压，后加漏压；去电时，先降漏压，后降栅压，否则容易损坏器件，保证固态功率放大器的工作稳定性，然而现有的负压保护电路电路结构复杂，组成元器件数量偏多，使得电路工作可靠性较低。

因此，有必要提供一种结构简单、可提高电路可靠性的负压保护电路以解决上述缺陷。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种负压保护电路，以解决现有技术中负压保护电路结构复杂，元器件输入偏多、电路工作可靠性较低的问题。

本实用新型实施例第一方面提供了一种负压保护电路，包括：数字集成单元、第一晶体管以及第二晶体管；

所述数字集成单元的输入端连接电源负电压，所述数字集成单元的输出端连接所述第一晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的集电极连接所述第二晶体管的栅极，所述第二晶体管的漏极连接电源正电压，所述第二晶体管的源极为电压输出端。

可选的，所述数字集成单元包括：稳压二极管Dz和非门电路；

所述稳压二极管Dz的阴极连接电源负电压，所述稳压二极管Dz的阳极连接所述非门电路的输入端，所述非门电路的模拟信号地端接地，所述非门电路的模拟信号电源端连接预设电压的电源，所述非门电路的输出端连接所述第一晶体管的基极。

可选的，所述数字集成单元还包括：电阻R1和电阻R2；

所述电阻R1的一端和所述电阻R2的一端连接在所述稳压二极管Dz和所述非门电路的输入端之间，所述电阻R1的另一端接地，所述电阻R2的另一端连接所述预设电压的电源。

可选的，所述数字集成单元还包括：电容C1；

所述电容C1的正极端连接在所述非门电路的模拟信号电源端与所述预设电压的电源之间，所述电容C1的负极端接地。

可选的，所述负压保护电路还包括：电阻R3；

所述电阻R3的一端连接所述数字集成单元的输出端，所述电阻R3的另一端连接所述第一晶体管的基极。

可选的，所述负压保护电路还包括：电阻R4；

所述电阻R4的一端连接所述第一晶体管的集电极，所述电阻R4的另一端连接所述第二晶体管的栅极。

可选的，所述负压保护电路还包括：电容C2；

所述电容C2的正极端连接在所述第二晶体管的漏极与所述电源正电压之间，所述电容C2的负极端接地。

可选的，所述负压保护电路还包括：电容C3；

所述电容C3的正极端连接在所述电阻R4的一端与所述电压输出端之间，所述电容C3的负极端接地。

可选的，所述第一晶体管为NPN型晶体管。