[实用新型]一种碳化硅外延反应室侧壁部件

权利要求书

1.一种碳化硅外延反应室侧壁部件，包括分别安装于碳化硅外延反应室相对两侧壁上且镜像设置的两侧壁挡板，其特征在于：所述侧壁挡板由至少两拼接件沿前后方向拼接而成，每一拼接件的前端和/或后端上具有与相邻拼接件进行拼接的拼接部，且每一侧壁挡板的所有拼接件相互拼接后形成沿前后方向延伸、且连续的内壁面。

2.根据权利要求1所述的碳化硅外延反应室侧壁部件，其特征在于：所述侧壁挡板由两个拼接件拼接而成，靠近源气进气口一侧的拼接件定义为前拼接件，另一拼接件定义为后拼接件，该前拼接件的后端设置有一前拼接部，后拼接件的前端设置有与前拼接件的前接部相匹配设置的后拼接部，前拼接件的前拼接部和后拼接件的后拼接部在前后方向上互补设置。

3.根据权利要求1所述的碳化硅外延反应室侧壁部件，其特征在于：所述侧壁挡板由三个拼接件拼接而成，靠近源气进气口一侧的拼接件定义为前拼接件，远离源气进气口一侧的拼接件定义为后拼接件，位于中间的拼接件定义为中拼接件，其中前拼接件的后端设置有一前拼接部，后拼接件的前端设置有一后拼接部，中拼接件的前端设置有前拼接件的前拼接部相匹配设置的第一拼接部，中拼接件的后端设置有后拼接件的后拼接部相匹配设置的第二拼接部，前拼接件的前拼接部和中拼接件的第一拼接部在前后方向上互补设置、后拼接件的后拼接部和中拼接件的第二拼接部在前后方向上互补设置。

4.根据权利要求2或3所述的碳化硅外延反应室侧壁部件，其特征在于：相邻两拼接件之间拼接部为互补的台阶结构，且靠近前端拼接件的拼接部内壁面填充靠近后端拼接件的缺口处。

5.根据权利要求1所述的碳化硅外延反应室侧壁部件，其特征在于：所述侧壁挡板由2～4个拼接件拼接而成。

6.根据权利要求1所述的碳化硅外延反应室侧壁部件，其特征在于：所述侧壁挡板的内壁面沿前后方向依序分为前内壁面和后内壁面，其中两侧壁挡板的前内壁面之间的间距从前往后依序减小设置，两侧壁挡板的后内壁面之间的间距从前往后等距设置。

7.根据权利要求6所述的碳化硅外延反应室侧壁部件，其特征在于：所述侧壁挡板前内壁面的上下两端部与所述侧壁挡板后内壁面的上下两端部等厚设置。